چکیده: برای دستیابی به هدف هایی چون کاهش مصرف توان، امکان مجتمع سازی در ابعاد پایین و امکان استفاده جهت حسگرهای کاشتنی درون بدن، استفاده از نوسان سازهای LC و کریستالی به دلیل مصرف توان بالا و عدم امکان مجتمع سازی گزینه-های مناسبی به شمار نمی آیند. به همین جهت در این پایان نامه یک نوسان ساز حلقوی شامل پنج طبقه وارون کننده با ترانزیستورهایی در ناحیه کاری زیرآستانه مورد بررسی قرار گرفته است. از آنجا که فرکانس خروجی این نوسان ساز در ناحیه زیرآستانه، با افزایش دما افزایش می یابد و دارای ضریب حرارتی به اندازه ی ppm⁄℃2430 است، نیاز به جبران سازی دمایی دارد. در این تحقیق دو مرجع جریان CTAT برای جبران-سازی دمایی نوسان ساز حلقوی نسبت به دما در تکنولوژی 18/0 میکرومتر CMOS شبیه سازی شده است. یک روش تولید ضریب حرارتی منفی استفاده از ولتاژ بیس-امیتر یک ترانزیستور دوقطبی در دو سر یک مقاومت است. روش دیگر تولید ضریب دمایی منفی استفاده از ضریب منفی ولتاژ آستانه ترانزیستورPMOS است. در مدار پیشنهادی، جریان CTAT حاصل شده در هر دو روش با مقدار جریان ثابتی از یک مرجع جریان مستقل از دما جمع شده و به سمت نوسا ن ساز هدایت می گردد. ضریب حرارتی فرکانس خروجی نوسان ساز پیشنهادی، در ساختاری که از ولتاژ بیس-امیتر بهره گرفته شده است، در محدوده ی دماییC ˚0 تا C˚100 برابر با ppm⁄℃ 117 می باشد. توان کل مصرف شده در این روش3/13 میکرووات می باشد. در روشی که از ضریب حرارتی منفی ولتاژ آستانه استفاده شده است، ضریب دمایی فرکانس خروجی نوسان ساز در بازه دماییC˚0 تاC ˚100 به اندازه ppm⁄(℃ )131.7 بوده و توان کل مصرفی نیز به مقدار 33 میکرووات است.