پایان نامه > کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود > مهندسی برق > مقطع کارشناسی ارشد > سال 1401
پدیدآورندگان:
محمّدرضا راسخی [پدیدآور اصلی]، عماد ابراهیمی[استاد راهنما]، حامد امین زاده [استاد مشاور]
چکیده: مقاومتهای مجتمع جزء جدایی ناپذیر اکثر مدارهای الکترونیکی میباشند، بخصوص در مدارهایی از جمله مرجع ولتاژ و جریان که ضریب دمایی مقاومتها حائز اهمیت میباشد. در این پایاننامه به بررسی مدارهای مرجع ولتاژ و جریان میپردازیم که به منظور تبدیل ولتاژ به جریان و برعکس از مقاومتهای مجتمع در ساختار آنها استفاده شده است. مقاومتهای موجود در فرآیند ساخت مدارهای مجتمع فعلی خطی نیستند و به دما وابسته هستند. برخی از آنها به تفکیک نوع آلایش شامل مقاومت Well ، Diffusion و Poly میشود، که دارای رفتار دمایی به ترتیب PTAT ، PTAT و CTAT هستند. جهت خطیسازی مقاومتهای مجتمع در مدارهای مرجع ولتاژ و جریان میتوان از تکنیکهای متفاوتی از جمله استفاده از نسبت مقاومتها، سری و موازی کردن مقاومتها و مدارهای تنظیم کننده استفاده کرد. به منظور خطیسازی مقاومتهای مجتمع در مدارهای مرجع ولتاژ از تکنیک نسبت دو مقاومت متفاوت استفاده شده است، که این کار سبب حذف مؤلفههای غیر خطی بالاتر شده است و تأثیر ضریب حرارتی مقاومت در مدار مرجع ولتاژ حذف شده است. اما در مدارهای مرجع جریان به دلیل استفاده از یک مقاومت برای تبدیل ولتاژ به جریان نمیتوان از نسبت مقاومتها استفاده کرد. بنابراین یک شبکه مقاومتی جدید با ساختار واحد ارائه گردیده است. این شبکه مقاومتی دارای خطینگی بالایی (ضریب حرارتی نزدیک به صفر) است. همچنین در مقابل تغییر مقدار مقاومت، دارای ساختار و ضریب حرارتی ثابت میباشد. سپس به بررسی راهکارهای مداری میپردازیم که امکان پیادهسازی مقاومتهای خطی و مستقل از دما جهت استفاده در مراجع ولتاژ و جریان را فراهم کنند. کاهش وابستگی دمایی مقاومتهای مجتمع با استفاده از ایجاد یک شبکه مقاومتی واحد و بهینهسازی آن به وسیلهی الگوریتم ژنتیک به منظور استفاده در مدارهای مرجع ولتاژ و جریان جهت کاهش وابستگی دمایی مورد بررسی قرار گرفته است. در این پژوهش یک مدار مرجع ولتاژ جدید که در آن از نسبت مقاومتها به منظور حذف وابستگی دمایی مقاومتها استفاده شده است. نتایج شبیهسازی بعد از طراحی جانمایی در تکنولوژی 180 نانومتر CMOS نشان میدهد که مرجع ولتاژ برابر 494 میلیولت میباشد. همچنین ضریب دمایی و توان مصرفی به ترتیب برابر باppm/°C 4/58 و 48/3 نانو وات است. سپس یک شبکه مقاومتی واحد با قابلیت انتخاب مقدار مقاومت دلخواه با ضریبدماییppm/°C 1/3 با ساختار ثابت به منظور استفاده در مدارهای مرجع جریان ارائه شده است.
کلید واژه ها (نمایه ها):
#مرجع ولتاژ #مرجع جریان #شبکه مقاومتی #PTAT #CTAT #ضریب دمایی #الگوریتم ژنتیک
محل نگهداری: کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود
یادداشت: حقوق مادی و معنوی متعلق به دانشگاه صنعتی شاهرود می باشد.
تعداد بازدید کننده: