چکیده: مدارهای کلید خازنی آنالوگ، به عنوان یک دسته مهم از مدارهای آنالوگ هستند. یکی از کاربردهای آن، مدارهای نمونه بردار و نگه دار است. به منظور کاهش ولتاژ تغذیه و توان مصرفی ترانزیستورهای MOS کوچکتر شده اند. کاهش ابعاد باعث بروز مشکلات بزرگی می شود که مهم ترین آنها افزایش جریان نشتی در حالت خاموش است. برای رفع این مشکل محققان در پی انتخاب جایگزین مناسبی برای ترانزیستورهای MOS بوده اند. در ترانزیستورهای نانولوله کربنی امکان استفاده از دی الکتریک ضخیم تری در گیت وجود دارد چون ولتاژ آستانه آن ها به ضخامت اکسید گیت وابسته نیست، بنابراین بدون افزایش ولتاژ آستانه جریان نشتی گیت کم می گردد. در این پایان نامه یک مدار نمونه بردار و نگه دار جدید پیشنهاد شده است که مزیت مدار پیشنهادی این است، که آپ امپ توسط یک پالس ساعت در زمان نگه داری فعال است و در زمان نمونه گیری خاموش است و این امر سبب کاهش چشم گیر توان مصرفی می شود. به منظور شبیه سازی و تأیید صحت عملکرد مدار پیشنهادی، از نرم افزار شبیه ساز HSPICE استفاده شده است همچنین ترانزیستورهای مدار توسط فناوری 32nm CNT مدل سازی شده است. نتایج شبیه سازی مدار نمونه بردار و نگه دار پیشنهادی نشان می دهد که مدار می-تواند با دقت بیش از 14 بیت در فرکانس ورودی 218.75MHz و فرکانس نمونه برداری 2GHz به ازای دامنه 0.4V قله تا قله عمل نمونه برداری و نگه داری را انجام دهد. این در حالی است که ولتاژ تغذیه مدار 1V است و 168μW توان مصرف می کند.