چکیده: جاذب‌های تراهرتز کاربردهای گسترده‌ای در زمینه‌های دستگاه‌های الکترونیک نوری، آشکارسازی و حسگری دارند. در این پایان‌نامه، ابتدا به تعاریف فرامواد، تراهرتز و گرافن پرداخته شده است. سپس، با استفاده از تحقیقات پیشین، به طراحی جاذبی پرداخته‌ایم که دارای پهنای باند وسیع و جذب بالای 90 درصد باشد و نسبت به زاویه تابش حساسیت کمتری نشان دهد تا بتواند در کاربردهای مختلف نظیر عکس‌برداری، حسگری و آشکارسازی به کار رود. برای دستیابی به چنین جاذبی، از ترکیب آب و گرافن به‌منظور افزایش جذب استفاده کرده‌ایم. در این پژوهش، سه ساختار پیشنهادی معرفی شده‌اند. در ساختار پیشنهادی اول، از طرح ایموجی برای گرافن استفاده شد که منجر به جذب با پهنای باند 4.03 تراهرتز گردید و اهمیت وجود یک حلقه در ساختار را نشان داد. در ساختار پیشنهادی دوم، با تغییر در ساختار جاذب و استفاده از طرح صلیب و حلقه پیرامون آن بر روی گرافن، میزان جذب به 5.98 تراهرتز رسید. در ساختار سوم، از طرح گلبرگ با حلقه و شکاف‌های مستطیلی در اطراف آن استفاده شد که جذب را به 14.55 تراهرتز افزایش داد. این افزایش جذب ناشی از رزونانس‌های ایجاد شده بین گلبرگ، حلقه و شکاف‌های مستطیلی بود. ساختارهای طراحی شده پهنای باند وسیع و حساسیت کمی نسبت به پلاریزاسیون دارند. در ساختار سوم که به طور خاص مورد بررسی بیشتری قرار گرفته است، مشخص شد که این طراحی نسبت به زاویه تابش θ از صفر تا 55 درجه عملکرد بهینه دارد. این ویژگی‌ها موجب می‌شود که جاذب‌های پیشنهادی برای کاربردهای مختلف تراهرتز نظیر تشخیص، تصویربرداری و سایر کاربردها مناسب باشند.