چکیده: نیم‌رساناهای آلی به‌دلیل ویژگی‌هایی نظیر وزن کم، انعطاف‌پذیری و امکان فراوری از محلول، به‌طور گسترده در ادواتی مانند دیودهای نورگسیل آلی، سلول‌های خورشیدی آلی و ترانزیستورهای اثر میدان آلی مورد توجه قرار گرفته‌اند. با این حال، ماهیت بی‌نظم این مواد موجب می‌شود که ترابرد بار در آن‌ها عمدتاً از نوع جهشی بوده و مدل‌های نواری کلاسیک قادر به توصیف دقیق رفتار الکتریکی آن‌ها نباشند. در این پایان‌نامه، نقش نظریه پرکولاسیون به‌عنوان یک چارچوب آماری–فیزیکی توانمند برای تحلیل ترابرد جهشی در نیم‌رساناهای آلی بی‌نظم مورد بررسی قرار گرفته است. با بازخوانی و تفسیر نتایج گزارش‌شده در مطالعات پیشین، نشان داده می‌شود که رسانش الکتریکی در این سامانه‌ها توسط مسیرهای ترجیحی و خوشه‌های رسانای محدود کنترل می‌شود و بسیاری از ویژگی‌های مشاهده‌شده در تحرک‌پذیری، وابستگی به دما، میدان الکتریکی و چگالی حامل، و همچنین رفتار بازترکیب، ریشه‌ای پرکولاسیونی دارند. نتایج این پژوهش نشان می‌دهد که نظریه پرکولاسیون ابزاری مفهومی و تحلیلی قدرتمند برای درک فیزیک ترابرد بار در مواد آلی بی‌نظم فراهم می‌کند و می‌تواند مبنایی مؤثر برای بهبود مدل‌سازی و طراحی دستگاه‌های الکترونیکی آلی باشد.