چکیده: در این پایان‌نامه لایه‌های نانوساختار (CuInS2 (CIS با دو روش سولوترمال و اسپری پایرولیز بر روی زیرلایه‌های مختلف شیشه‌ای، ITO، FTO و AZO سنتز شدند. سپس خواص ساختاری، مورفولوژی و اپتیکی نمونه‌های تهیه شده با کمک آنالیزهای XRD، Raman ، FESEM ، UV-Vis بررسی شدند. بررسی خواص ساختاری لایه‌های CIS سنتز شده به روش سولوترمال بر روی زیرلایه‌های FTO که در سنتز آن‌ها از اسید سولفوریک، اسید اگزالیک و سورفکتانت (به طور مجزا) استفاده شد، تشکیل فاز چهارگوشی CIS را تایید کرد. بررسی مورفولوژی نمونه حاوی سورفکتانت تشکیل نانوساختارهای CIS را تایید کرد. بررسی خواص اپتیکی نمونه‌ها نشان داد که گاف نواری لایه‌ها مستقیم و در محدوده 1/56-1/24 الکترون ولت می‌باشند. نمونه خالص (سنتز شده بدون حضور اسید و سورفکتانت) دارای بیشترین گاف نواری (برابر 1/56eV) و نمونه حاوی سورفکتانت دارای کمترین گاف نواری (برابر 1/24eV) بودند. بررسی خواص ساختاری لایه‌های CIS سنتز شده بر روی زیرلایه‌های فوق الذکر، به روش اسپری پایرولیز با آهنگ‌ لایه‌نشانی 2ml/min در دمای زیرلایه °370C نشان داد این لایه‌ها آمورف بوده و عملیات بازپخت در دماهای ° 400C و ° 450C به مدت 1 ساعت در اتمسفر آزمایشگاه نیز تاثیر قابل توجهی بر روی بلورینگی این لایه‌ها ندارد. افزایش آهنگ لایه‌نشانی به 5ml/min و دمای زیرلایه به ° 370C نیز تغییر محسوسی در بهبود ساختار بلوری لایه‌ها ایجاد نکرد. لیکن بررسی خواص ساختاری لایه‌های سنتز شده با آهنگ لایه‌نشانی 5ml/min در دمای ° 300C، تشکیل نانوساختار چهارگوشی CIS بر روی زیرلایه‌های مختلف فوق الذکر را تایید کرد. بررسی خواص اپتیکی نمونه‌ها نشان داد که لایه سنتز شده بر روی زیرلایه شیشه‌ای دارای بیشترین عبور (کمترین ضخامت: 1/3µm) و لایه سنتز شده بر روی AZO دارای کمترین میزان عبور (بیشترین ضخامت : 6/3µm ) است. ضرایب جذب لایه‌ها نیز بزرگ و از مرتبه 104cm-1 بودند. مقادیر گاف نواری نمونه‌ها در محدوده eV 1/49– 1/23 می‌باشد. مقادیر گاف نواری لایه‌ها و همچنین مقادیر ضریب جذب لایه‌ها نشان دادند که نمونه‌های سنتز شده برای استفاده در سلول‌های خورشیدی به عنوان لایه جاذب کاندید‌های مناسبی هستند. در ادامه این کار برای بهبود بیشتر خواص ساختاری، لایه‌های CIS سنتز شده، در شرایط خلاء تحت عملیات بازپخت در دمای ° 500C قرار گرفتند. لیکن بررسی طرح‌های پراش پرتو X نمونه‌های بازپخت شده نشان دادند که عملیات بازپخت باعث تضعیف فاز چهارگوشی CIS شده است.