چکیده: امروزه مواد رسانای شفاف اکسیدی (TCO ) بخاطر خصوصیات فیزیکی منحصر بفردشان نظیر پایین بودن مقاومت ویژه الکتریکی، ضریب عبور اپتیکی بالا در ناحیه مرئی و فروسرخ نزدیک و چسبندگی سطحی با زیرلایه‌ها از توجه زیادی در انواع تکنولوژیهای کاربردی برخوردار شده‌اند. SnO2 یک نیم‌رسانای نوع n با گاف نواری مستقیم نسبتاً پهن (4-3 الکترون ولت) بوده و لایه نشانی آن بر روی زیرلایه Si نوع p می‌تواند به ساخت دیود منجر شود. در این رساله نخست به بررسی دو پدیده تاثیر دمای زیرلایه و آلایش ماده با ناخالصی آنتیموان (Sb) بر خواص ساختاری، الکتریکی و اپتیکی لایه‌های نازک (در حدود 200 نانومتر) اکسید قلع که با روش اسپری پایرولیزیز بر روی شیشه رشد یافته‌اند پرداخته‌ایم. سپس لایه خالص با خواص بهینه را بر سطح سیلیکون متخلخل نشانده و خواص الکتریکی قطعه را مورد بررسی قرار داده‌ایم. در مرحله نخست بررسی‌های ما نشان دادند که دمای زیرلایه‌ای °C 425 مناسب‌ترین دما برای دستیابی به لایه اکسید قلع خالص با ضریب بهینگی بیشینه است. در این شرایط گاف نواری ماده بیشینه مقدار و برابر eV 75/3 و مقاومت ویژه کمینه مقدار و برابر Ωcm 3-10×1/5 است. در این لایه ضریب عبور اپتیکی در بازه طول موجی 800-500 نانومتری به طور متوسط در حدود 85 درصد می‌باشد. در مرحله آلایش لایه‌ها با ناخالصی آنتیموان در بازه صفر تا 5/1 درصد وزنی ملاحظه شد که لایه با 5/0 درصد ناخالصی دارای ضریب بهینگی بیشینه بوده و گاف نواری آن eV 73/3 و مقاومت ویژه الکتریکی آن Ωcm 3-10×22/2 است. با شرایط رشد لایه SnO2 خالص بهینه، این لایه بر روی سطح ویفرهای Si مسطح و متخلخل (با مدت زمان آنودیزاسیون متفاوت) لایه نشانی شدند. دریافتیم این قطعات همگی از یک مشخصه I-V با رفتار یکسو شونده برخوردارند. علاوه بر این محاسبات ما نشان دادند که در نمونه Si مسطح ضریب ایده آلی (n) برابر 5 و مقاومت سری (rs) برابر 19 اهم بوده و در نمونه‌های متخلخل پارامتر اول در حدود 2 برابر و پارامتر دوم در حدود 20 برابر افزایش می‌یابند. این تغییرات به حضور حالتهای جایگزیده سطحی و نیز لایه اکسیدی عایق در محل فصل مشترک لایه نازک اکسید قلع و زیرلایه سیلیکون نسبت داده می‌شوند.