چکیده: با پیشرفت فناوری در سال های اخیر لایه‌های نازک اکسیدهای نیمرسانای شفاف(TCO) بر پایه اکسیدروی (ZnO) واکسیدکادمیومCdO) ) نظیرآلیاژ سه‌تایی ‍‍CdZnO بطور گسترده برای ساخت قطعات اپتوالکترونیکی مانند سلولهای خورشیدی، بازتاب‌کننده‌های گرمایی، ولایه‌های نازک فتوولتائی مورد توجه قرار گرفته‌اند. در این کار، ابتدا لایه‌های نازک Cd_x Zn_(1-x) O به روش سل-ژل روی زیر لایه‌های شیشه‌ای و سیلیکونی انباشت شدند. نمونه های آماده شده تحت عملیات بازپخت در دماهای oC450 و oC500 به مدت یک ساعت قرار گرفتند. سپس خواص ساختاری و اپتیکی نمونه‌ها بررسی شدند. پراش اشعه x نشان داد که تمام لایه های رشد داده شده، بس بلوری و دارای ساختار ترکیبی مکعبی CdO و شش گوشی ZnO می‌باشند. نتایج به دست آمده نشان داد که دمای بازپخت oC500 ، مناسب ترین دمای بازپخت برای تهیه لایه های نازک Cd_x Zn_(1-x) O با کیفیت بالا می باشد. عبور اپتیکی این نمونه‌ها تابع غلظت کادمیوم و در ناحیه ی مرئی بین 60% تا 90% متغیر می باشد. گاف نواری مستقیم و غیرمستقیم نمونه‌ها eV 32/3 و eV56/1 به دست آمد. نتایج بررسی تأثیر غلظت کادمیوم در نمونه‌های رشد داده شده بر روی زیرلایه شیشه‌ای و سیلیکونی Cd_x Zn_(1-x) O نشان داد که برای نمونه‌های انباشت شده روی زیرلایه شیشه‌ای با افزایش درصد کادمیوم گاف نواری مستقیم از eV 86/2 به 97/1 و گاف نواری غیر مستقیم از eV 62/2 به 24/1 کاهش می‌یابد. همچنین عبور اپتیکی این نمونه‌ها با افزایش غلظت کادمیوم به حدود 50% کاهش می‌یابد. نتایج این بررسی نشان داد که برای لایه‌های رشد داده شده بر روی زیرلایه‌های سیلیکونی اندازه بلورک‌ها افزایش و ثابت شبکه کاهش می‌یابد. محاسبه گاف نواری نمونه‌های شامل 50% کادمیوم نشان داد که گاف نواری مستقیم نمونه انباشت شده روی زیرلایه سیلیکونی بزرگتر از نمونه با زیرلایه شیشه ای است. همچنین برای لایه انباشت شده روی زیر لایه سیلیکونی بلورک‌ها کاهش و کرنش، تراکم و ثابت شبکه افزایش می یابد. برای تمام نمونه‌ها، ثابت‌های دی الکتریک، ضریب خاموشی و ضریب شکست محاسبه و رفتار آنها برحسب طول موج بررسی گردید.