پایان نامه > کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود > فيزیک و مهندسی هسته ای > مقطع کارشناسی ارشد > سال 1396
پدیدآورندگان:
نداالسادات میرحسینی [پدیدآور اصلی]، محمد ابراهیم قاضی[استاد راهنما]، مرتضی ایزدی فرد[استاد راهنما]
چکیده: در این پایان نامه خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک CuInS2 که به روش افشانه تجزیه حرارتی بر روی زیرلایه های شیشه ای رشد داده شدند، مورد بررسی قرار گرفته است. سپس اثر پارامترهای مختلف رشد مانند: ارتفاع افشانه تا زیرلایه (35، 40 و cm 45 )، دمای زیرلایه ( 300، 350، 400 و °C450 )، عملیات بازپخت و آهنگ لایه نشانی (3، 5 و ml/min10) بر روی خواص ساختاری و اپتیکی آنها مورد بررسی قرار گرفتند. برای بررسی خواص ساختاری نمونه ها از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) و پراش سنج پرتو ایکس (XRD) استفاده شد. برای بررسی خواص اپتیکی نمونه ها از اندازه گیری طیف عبور با یک دستگاه طیف سنج نوری (UV-Vis) استفاده گردید. طیف های XRD ثبت شده از نمونه ها، تشکیل ساختار چهارگوشی CuInS2 با راستای ترجیحی (112) را تایید نمود. بررسی اثر ارتفاع افشانه تا زیرلایه نشان داد که این پارامتر بر خواص ساختاری و اپتیکی نمونهها تاثیر بسزایی دارد به طوری که با افزایش ارتفاع افشانه تا زیرلایه، مقدار گاف نواری مستقیم نمونهها eV 38/0 افزایش یافته است. بررسی اثر دمای زیرلایه نشان داد که ساختار چهارگوشی CuInS2 تشکیل نشده و نمونهها دارای ساختار آمورف می باشند. بررسی اثر دمای بازپخت نشان دادکه نمونه تهیه شده در دمای بازپخت oc 400 دارای ساختار آمورف و نمونه تهیه شده در دمای بازپخت oc 300 نسبت به سایر نمونهها دارای ساختار بلوری بهتر و اندازه بلورک بزرگتری است. تصاویر FESEM ثبت شده از سطح نمونهها نشان داد که تحت عملیات بازپخت اندازه دانهها نسبت به قبل از بازپخت افزایش یافته است. همچنین تحت عملیات بازپخت عبور متوسط و گاف نواری نمونهها به ترتیب افزایش و کاهش یافته است. بررسی اثر آهنگ لایه نشانی نشان داد که با افزایش آهنگ لایه نشانی، اندازه بلورکها اندکی کاهش و گاف نواری افزایش یافته است. همچنین انحراف از ساختار ایدهآل چهار گوشی افزایش یافته که منجر به کاهش کیفیت بلورینگی لایههای نازک شده است.
مقادیر به دست آمده برای انحراف از ساختار ایدهآل چهارگوشی برای همه نمونهها نشان داد که ساختارهای تشکیل شده نزدیک به ساختار ایدهآل هستند. همچنین برای نمونههای تهیه شده جذب اپتیکی در ناحیه نور مرئی حدود cm-1 104 میباشد که نشان دهنده جذب خوب فوتونها در این ناحیه و مناسب بودن لایههای نازک CuInS2 به عنوان لایه جاذب برای کاربرد در سلولهای خورشیدی میباشند.
کلید واژه ها (نمایه ها):
#لایههای جاذب CuInS2 #خواص ساختاری #خواص اپتیکی #سلول خورشیدی #افشانه تجزیه حرارتی دانلود نسخه تمام متن (رایگان)
محل نگهداری: کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرودیادداشت: حقوق مادی و معنوی متعلق به دانشگاه صنعتی شاهرود می باشد.
تعداد بازدید کننده: