چکیده: امروزه با پیشرفت فن‌آوری، نیاز به مدارهای مرجع ولتاژ با توان مصرفی کم و دقت بالا در بیشتر وسایل الکترونیکی احساس می‌شود. این مراجع ولتاژ یکی از بلوک‌های اصلی مورد استفاده در بسیاری از مدارهای آنالوگ مانند مبدل‌های داده، حسگرها و تنظیم‌کننده‌ها هستند. طراحی مناسب یک مرجع ولتاژ وابسته به چندین مورد ازجمله ضریب دمایی، حساسیت خط، توان مصرفی و ابعاد کم مدار است. با توجه ‌به اینکه امروزه در کاربردهای IoT و پزشکی اکثر وسایل الکترونیکی در ابعاد کوچک ساخته می‌شوند و باید سبک و قابل‌حمل باشند به همین دلیل از باتری‌های کوچک و با ظرفیت کمتری استفاده می‌کنند و نیازمند این هستیم که مدارات این‌گونه وسایل توان مصرفی پایینی داشته باشند. در این پایان‌نامه یک مرجع ولتاژ زیر یک ولت با توان مصرفی پیکووات پیشنهاد و شبیه‌سازی‌شده است. برای داشتن توان مصرفی، ضریب دمایی و تنظیم خط پایین تمام ترانزیستورهای آن در ناحیه زیر آستانه طراحی‌شده است و اثر DIBL در آن خنثی‌شده است. در این طرح تنها از چهار عدد ترانزیستور (اکسید ضخیم، Native VTH و Medium VTH) استفاده ‌شده است که بدنه تمام این ترانزیستورها به سورس آن‌ها متصل است. برای بررسی عملکرد این مرجع ولتاژ پیشنهادی و میزان وابستگی آن به سه عامل مهم دما، منبع تغذیه و فرایند ساخت، مدار پیشنهادی در فن‌آوری استاندارد TSMC 0.18