چکیده: در این تحقیق به کمپلکس بیس (سالیسیلیدن آنیلین) روی[II) [Zn(saa)2)، که یکی از کمپلکس های بازهای شیف می باشد توجه شده است. این کمپلکس کاربرد بسیار عمده ای در دیودهای نور افشان آلی (OLEDs) دارد. ساختار مولکولی و فرکانس های ارتعاشی کمپلکس [Zn(saa)2] به وسیله‎ی نظریه ی تابعی چگالی و در سطح نظری B3LYP و مجموعه های پایه ی **LANL2DZ، 6-31G و 6-**311G محاسبه شد و ساختار هندسی بهینه شده با داده های X-ray مورد مقایسه قرار گرفت. نتایج نشان داد پارامترهای هندسی بهینه شده در سطح **B3LYP/6-311G به خوبی توصیف می شوند. فرکانس های ارتعاشی محاسبه شده نیز با مقادیر تجربی آن ها مقایسه شد که این مقایسه، تفاوت کمی بین مقادیر تجربی و مقادیر نظری را نشان داد. سپس اثر جانشینی گروه های مختلف در موقعیت پارای حلقه ی آنیلین بر روی خواص ساختاری و فرکانس های ارتعاشی اتصالات لیگاند به فلز مورد مطالعه قرار گرفت. این گروه‎های جایگزین شده شامل گروه های الکترون دهنده و الکترون کشنده از قبیل N(CH3)2، OCH3، CH3، CN و NO2 هستند. تحقیقات نشان داد که تفاوت الکترونگاتیوی گروه های جانشین شده می تواند خواص اسپکتروسکوپی و خواص ساختاری وابسته به کمپلکس را تحت تاثیر قرار دهد. مطابق با توانایی الکترون دهندگی گروه های استخلافی جایگزین شده در موقعیت پارای حلقه ی آنیلین که به صورتN(CH3)2> OCH3> CH3> H> CN> NO2 است، سطوح انرژی HOMO و LUMO، فرکانس های ارتعاشی پیوند Zn-N و نیز جا به جایی قرمز در طیف UV-VIS افزایش یافته است. متناسب با این تغییرات ایجاد شده در کمپلکس [Zn(saa)2] با قرار گیری استخلاف ها، میزان کارایی هریک از کمپلکس های تشکیل شده در OLEDها متفاوت شد.