چکیده: در این تحقیق، به منظور دستیابی به لایه ی نازک CdTe با شرایط بهینه بدون فازهای ثانوی، از سه روش، شامل رسوب گذاری حمام شیمیایی، اسپری پایرولیز و کندوپاش بر روی زیرلایه های شیشه ای استفاده شد. علاوه بر این، تغییرات ضخامت لایه CdTe (به روش کندوپاش) بر پاسخ نوری فوتودیود ساخته شده با ساختار ناهمگون Ag/CdTe/p-Si/Al مورد بررسی قرار گرفت. در این تحقیق از روشهای مشخصه یابی مختلف از جمله میکروسکوب الکترونی روبشی (FESEM)، پراش پرتو X، طیف سنجی رامان، طیف سنجی اپتیکی فرابنفش-مرئی (UV-Vis)، طیف سنجی فوتولومینسانس (PL)، اندازه گیری جریان- ولتاژ I-V و جریان- زمان I-tدر شرایط تاریکی و روشنایی استفاده شده است. در روش رسوب گذاری حمام شیمیایی، پارامترهای گوناگون شامل مدت زمان بازپخت، غلظت محلول، مدت زمان لایه نشانی و دمای لایه نشانی مورد بررسی قرار گرفتند. معلوم شد، در مقایسه با دیگر نمونه ها، نمونه ی سنتز شده در C° 90 در مدت 30 دقیقه، از نظر ساختاری و اپتیکی، از رفتار بهینه برخوردار است. در روش اسپری پایرولیز نیز به سنتز لایه ها در حضور گاز نیتروژن، در شرایط مختلف شامل غلظت محلول و بازپخت، دمای زیرلایه و آهنگ شارش پرداختیم. نتایج در این بخش نشان داد، به طور کلی، نمونه ها بعد از بازپخت از کیفیت ساختاری مطلوب تری برخوردار بوده اند. همچنین نمونه با غلظت های مساوی از پیش ماده ها و در دمای C° 350 نسبت به سایر نمونه ها خواص فیزیکی و الکتریکی مناسب تری از خود نشان داده است. در روش کندوپاش به مطالعه پارامترهایی همچون مدت زمان لایه نشانی و دمای زیرلایه پرداختیم. نتایج نشان داد افزایش مدت زمان لایه نشانی نقش مهمی در رسانایی لایه ها و کاهش مقاومت الکتریکی آنها دارد، اما دمای زیرلایه تاثیر عمده ای بر خواص فیزیکی لایه ها ندارد. در نهایت، تأثیر ضخامت (80،0 و nm120) لایه میانی CdTe را در فوتودیودهای با ساختار ناهمگونAg/CdTe/p-Si/Al بر پاسخ نوری لامپ هالوژن مورد بررسی قرار دادیم. معلوم شد که تمام نمونه‌ها رفتار یکسوسازی داشته و قرار دادن لایه میانی باعث افزایش مقاومت سری نمونه ها، در حدود یک مرتبه بزرگی، شده است. همچنین معلوم شد که نمونه ی با ضخیم ترین لایه میانی، با داشتن جریان نوری (IP) بزرگتر و جریان تاریکی (ID) کوچکتر، دارای بیشترین نسبت پاسخ نوری (حدود 300) است، که بالاترین مقدار گزارش شده در فوتودیودهای ناهمگون CdTe/p-Si می باشد.