چکیده: چکیده بیشتر اتصالات در دستگاه های اسپینترونیک به صورت فلزی طراحی می‌شوند. زمانی که تجمع اسپینی در دستگاه به وجود می آید، با واهلش اسپینی تجمع اسپینی با گذشت زمان و با دور شدن از فصل مشترک از بین می رود. برای اینکه تجمع اسپینی در مسافت های طولانی تری جابه جا شود باید از دستگاه هایی استفاده شود که در آن ها طول واهلش اسپینی بزرگ است. گرافن به خاطر ضعیف بودن اثر اسپین-مدار ذاتی، طول واهلش اسپینی بزرگی دارد، در نتیجه تجمع اسپینی در گرافن می تواند در مسافت های طولانی تر منتقل شود، به همین خاطر گرافن یک محیط ایده ال برای انتقال انباشتگی اسپینی است. دستگاه مورد مطالعه یک سوپاپ اسپینی گرافنی/مولکولی می باشد که بصورت اتصال فرومغناطیس/ گرافن/ فرومغناطیس است و یک مولکول مغناطیسی بر روی گرافن قرار داده شده است. در اینجا، مولکول مغناطیسی از دو مولفه تشکیل شده است، یعنی یک سطح نقطه کوانتومی(QD) و یک گشتاور مغناطیسی موضعی، که برهمکنش تبادلی دارند. با استفاده از رهیافت تابع گرین غیرتعادلی (NEGF) و اعمال یک ولتاژ بایاس پله ای، ولتاژ گیت، میدان مغناطیسی خارجی ضعیف و قوی و کشش محوری همگن به محاسبه ی جریان های بار و اسپین در اتصال گرافنی/مولکولی پرداخته می شود. نشان داده می شود که می توان با اعمال ولتاژ گیت و ولتاژ بایاس وابسته به زمان دستگاه مورد مطالعه را کنترل کرد. با اعمال میدان مغناطیسی نشان داده می شود که زمان پاسخ جریان بسیار سریع می باشد و همچنین حالت پایدار جریان صفر نیست و جریان در دستگاه بطور مداوم باقی می ماند که این برای کنترل دستگاه های اسپینترونیکی بسیار مهم و کاربردی می باشد. و در آخر با اعمال کشش نشان داده می شود که کشش سبب جابجایی در محل کمینه ها و بیشینه های جریان بار و اسپین بر حسب ضریب برهمکنش گرافن با مولکول مغناطیسی، زمان، ولتاژ گیت و بایاس می شود.