چکیده: ویژگی های منحصر به فرد الکتریکی و نوری فلزات واسطه دی کالکوژنایدها مانند WS2 WSe2, MoS2, MoSe2, NbS2, NbSe2, باعث شده است که توجه ویژه ای را به خود جلب کنند. این مواد دارای گاف نواری پهن هستند و وقتی به صورت تک لایه سنتز می شوند گاف نواری آنها از مستقیم به غیر مستقیم تغییر می کند. از جمله مهمترین کاربردهای آنها در ساخت قطعات حسگر گازی، سلول های خورشیدی، آشکارسازهای نوری است. دی سولفید تنگستن (WS2)، نسبت به سایر کالکوژنایدها از ثابت گرمایی و ظرفیت گرمایی بالایی برخوردار است. WS2 دارای پیوندهای واندروالسی بین لایه ها می باشد و در ساختار لایه ای بلوری می شود. هدف در این پایان نامه، سنتز و مشخصه یابی نانوساختار دی سولفید تنگستن و به کارگیری آن در حسگری گاز در دمای اتاق می باشد. بدین منظور پس از معرفی کوتاه نانوساختارها، ساختار و ویژگی های نانوساختار دی سولفید تنگستن بررسی شده است. در ادامه ابتدا لایه های نازک WS2 با دستگاه کندوپاش رشد داده شد و یک لایه نازک به ضخامت nm200 بروی زیرلایه شیشه ای با دمای ˚350C تشکیل شد. به منظور بررسی خصوصیات لایه تشکیل شده از دستگاههای XRD ، FESEM و طیف سنجی رامان و UV-Vis استفاده شده است. آنالیزXRD در توان های 80 و W 100 ساختار آمورف و در توان W 120 تشکیل ساختار بلوری در ماده را نشان داد. آنالیز EDX وجود عناصر W و S را در نمونه های سنتز شده نشان داد. نتایج حاصل از حسگری گازی نسبت به گاز اتانول نشان می دهد که با افزایش توان نمونه ها زمان پاسخ و بازیابی نمونه ها کاهش پیدا کرده است. بیشترین میزان حساسیت به گاز اتانول مربوط به نمونه با توان W120 می باشد که مقدار آن برابر با % 34/17 و زمان پاسخ و بازیابی آن به ترتیب 7 و 3 ثانیه است.