چکیده: در این پایان نامه با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی و بستۀ محاسباتی wien2k و با استفاده از دو تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) و چگالی موضعی (LDA)، ساختار الکترونی و خواص اپتیکی فاز بتا سیلیکون نیتراید (Si3N4 -β ) در حالت های حجمی و نانو صفحات خالص و آلاییده با اکسیژن ( 6/25، 12/5 و ٢۵ درصد) بررسی شد. برای بررسی خواص الکترونی، ساختار نواری و چگالی حالت های کلی و جزئی و برای بررسی خواص اپتیکی قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، ضرایب شکست و خاموشی و جذب و بازتاب و همچنین رسانندگی اپتیکی و تابع اتلاف انرژی الکترون محاسبه و بررسی شدند. نتایج این بررسی ها نشان دادند کهSi3N4 -β در حالت حجمی دارای گاف نواری غیر مستقیم است که مقدار در تقریب های GGA و LDA بترتیب 4/2 و 4/18 الکترون ولت بدست آمدند. برای نانو صفحات خالص Si3N4 -β محاسبات نشان دادند که گاف نواری به نوع مستقیم تبدیل می شود. مقدار محاسبه شدۀ گاف نواری برای این نانو صفحات در تقریب های GGA و LDA بترتیب 3/5 و 3/2 الکترون ولت بدست آمدند. در نانو ورقه های Si3N4 -β آلاییده با اکسیژن، نوارهای ناخالصی وابسته به ناخالصی اکسیژن در محدودۀ تراز فرمی مشاهده شدند که چگالی آنها با افزایش درصد ناخالصی افزایش یافت. همچنین هم در نوارهای ظرفیت و هم در نوارهای رسانش نانو صفحات آلاییده با اکسیژن، در مقایسه با نانو صفحات خالص افزایش قابل توجه نوارها مشاهده گردید.