چکیده: در این پژوهش به مطالعه‌ی خواص الکتریکی و مغناطیسی نانولوله‌های سیلیکون کارباید خالص و پرشده با عناصر واسطه پرداخته‌ایم. نانولوله‌های سیلیکون کارباید کپسوله شده با فلزات واسطه دارای خواص جالب الکتریکی، حرارتی، مقاومت الکتریکی بالا و ... هستند و به دلیل پایداری و گاف نواری عریض مورد استفاده قرار گرفته‌اند. در این پژوهش با استفاده از نظریه‌ی تابعی چگالی DFT در تقریب شیب تعمیم یافته‌ی GGA توسط کد محاسباتی SIESTA استفاده و مجموعه‌ی پایه به صورت DZP تعریف شده است. در ابتدا خواص الکتریکی، مغناطیسی و پایداری نانولوله‌های سیلیکون کارباید خالص آرمیچر(4و4)، (6و6)، (14و14)، (16و16)، (18و18)، (20و20) و زیگزاگ (0و7)، (0و9)، (0و14)، (0و16)، (0و18)، (0و20) مطالعه شده‌است. پایداری در هر دو گروه نانولوله‌ها با افزایش کایرالیتیn، افزایش می‌یابد. در ادامه به بررسی نانولوله‌های (4و4) و (0و7) کپسوله شده با زنجیره‌ای از اتم‌های فلزات واسطه و کپسوله شده با اتم‌های مجزای فلزات واسطه پرداخته شده‌است و نتایج نشان می‌دهد که پایداری نانولوله‌ها بعد از کپسوله شدن با اتم‌های فلزی، افزلیش قابل توجهی می‌یابد. خوا مغناطیسی ساختارها نشان می‌دهد که نانولوله‌های خالص، غیر مغناطیسی هستند. اگر فلزات واسطه با فاز آنتی‌فرومغناطیس در نانولوله کپسوله شوند، تغییرات در اندازه‌ی گشتاور کل نا چیز خواهد بود، اما اگر در فاز فرومغناطیس کپسوله شوند، تغییرات در اندازه‌ی گشتاور کل چشم‌گیر خواهد بود و خاصیت مغناطیسی نانولوله پیدا می‌کند.