چکیده: در سالهای اخیر مطالعه رفتار گاز الکترونی در نانوساختارهای نیم رسانا ، توجه بسیاری را به خود جلب نموده است. در این بین، بررسی ترابرد الکترونی و اثرات ناشی از پراکندگی های الکترونی از نواقص ویا ناخالصی ها در نانوساختارها از اهمیت ویژه ای برخوردار بوده است. در تحقیق حاضر با بهره گیری از رهیافتی مبتنی بر استفاده از معادله لیپمن شوینگر وفرمول لاندائور و محاسبه تابع گرین، اثر پراکندگی الکترونی حاصل از پتانسیل ناخالصی به شکل تابع دلتای دیراک در ضریب عبور و رسانش الکترونی دستگاه گاز الکترون دو بعدی در حضور میدان مغناطیسی قوی مورد بررسی قرار می گیرد. نتایج نشان می دهند که رسانندگی کوانتیزه دستگاه با افزایش قدرت میدان مغناطیسی رسانندگی سیستم دچار کاهشی ناچیز می شود. بعلاوه تغییرات اندازه میدان مغناطیسی نوساناتی در الگوی بستگی ضریب عبور الکترونی دستگاه به انرژی فرمی ایجاد می نماید. همچنین مشاهده شد که تغییر مکان ناخالصی در عرض دستگاه می تواند باعث تغییر قابل ملاحظه ضریب عبور الکترونی دستگاه شود.