چکیده: در این طرح پژوهشی رسانندگی گرمایی نیمرسانای GaN بر حسب تابعب از دما مورد بررسی قرار گرفته است. این نیمرسانای با گاف انرژی پهن، که در یک دهه اخیر بسیار مورد توجه واقع شده، از تراکم ناخالصی و دررفتگی بالایی برخوردار می باشد و دانشمندان زیادی در سرتاسر جهان برای رفع این مشکل به دنبال روشی بهینه برای رشد این ماده هستند. برای شناخت کیفیت نمونه رشد یافته روشهای گوناگونی نظیر اندازه گیریهای اپتیکی و الکتریکی به کار گرفته می شوند که اندازه گیری رسانندگی گرمایی ماده نیز یکی دیگر از این روشهاست. این طرح صرفا نظری بوده و داده های مربوط به چند نمونه که در شرایط و با زیر لایه های متفاوت رشد داده شده اند، از مقالات معتبر علمی استخراج شده اند. در تحلیل داده ها از نظریه های وابسته به رسانندگی گرمایی جامدات با کمک گیری از روش انطباق پارامترهای قابل تغییر بر پایه کمینه سازی مجموع مربعات مقادیر تجربی و نظری استفاده شده است. با این کار علاوه بر تعیین بزرگی دمای دبای ماده، میزان نسبی تراکم ناخالصی ها و در رفتگی های بلوری نمونه ها با یکدیگر مقایسه شده اند.