پایان نامه > کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود > مهندسی شیمی و مواد > مقطع کارشناسی ارشد > سال 1403
پدیدآورندگان:
بنیامین رخشاد [پدیدآور اصلی]، مریم شجاعی بهاآباد[استاد راهنما]
چکیده: در دسته سرامیک‌های با دمای بالا، موادی نظیر HfB2 دارای ویژگی‌های منحصر به فردی از نظر خواص فیزیکی و مکانیکی هستند و همچنین در برابر شوک حرارتی مقاومت بالایی از خود نشان می‌دهند. به همین دلیل، این مواد به عنوان گزینه‌های مناسبی برای ساخت سازه‌هایی که دمایی بالاتر از 2000 درجه سانتی‌گراد را تحمل می‌کنند، محسوب می‌شوند. با این حال، دمای بالای سینتر این مواد می‌تواند به عنوان یک چالش مطرح شود و برای رفع این مشکل، استفاده از ترکیبات اکسیدی یا کاربیدی به عنوان کمک سینتر ضروری است. در این تحقیق، از SiC و ZrC عنوان کمک سینتر و فاز دوم تقویت‌کننده در تولید قطعات HfB2 با استفاده از روش SPS استفاده شده است. برای انجام بررسی‌های دقیق‌تر، نمونه‌هایی با 20 درصد وزنی SiC و مقادیر مختلف ZrC (صفر، 10، 20 و 30 درصد وزنی) در دمای 1900 درجه سانتی‌گراد به مدت 15 دقیقه سینتر شدند. به منظور ارزیابی نمونه و ریزساختارها، از آزمون‌های XRD، میکروسکوپ الکترونی عبوری (SEM) و آنالیز عنصری EDS و همچنین از آزمون ارشمیدس برای بررسی چگالی شده است. در نهایت، نمونه‌ها به مدت 5 ساعت در دمای 1500 درجه سانتی‌گراد اکسید شده و مورد بررسی قرار گرفتند. نتایج آزمایش‌ها نشان داد که بهترین سختی، استحکام خمشی و چگالی همچنین مربوط به نمونه‌های حاوی 20 درصد وزنی ZrC است. مکانیزم مقاومت در برابر اکسیداسیون این کامپوزیت تشکیل سه لایه اکسیدی HfO2، HfSiO4 و SiO2 میباشد. افزودن %10 وزنی ZrC به کامپوزیت HfB2-SiC سبب افزایش مقاومت اکسیداسیون کامپوزیت می‌شود. در حالیکه با افرودن مقادیر بیشتر ZrC سرعت اکسید شدن کامپوزیت ها افزایش میابد. با افزایش مقدار ZrC تا %20 وزنی، کاهش تخلخل، افزایش چگالی و سختی کامپوزیت‌ها نیز افزایش یافته است. تخلخل نمونه اولیه از %0.92 به %0.53 کاهش یافته است، سختی آن از Gpa 23.33 به Gpa 27.44 افزایش یافته و چگالی نمونه از %98.5 به %99.15 افزایش یافته است. همچنین اضافه کردن ZrC تا %20 وزنی باعث کاهش اندازه دانه و افزایش استحکام خمشی از Mpa 425.16 به Mpa 483.42 میشود.
کلید واژه ها (نمایه ها):
#دیرگداز #تقویت‌کننده #سختی #مقاومت در برابر اکسیداسیون #لایه شیشه ای.HfB2-SiC
محل نگهداری: کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود
یادداشت: حقوق مادی و معنوی متعلق به دانشگاه صنعتی شاهرود می باشد.
تعداد بازدید کننده:
پایان نامه های مرتبط (بر اساس کلیدواژه ها)