چکیده: مبدل‌های پالسی بازمان صعود پایین و اغتشاش کم، از تجهیزاتی هستند که در صنایع خاص به کار می‌روند. این تجهیزات ویژگی‌هایی از قبیل تولید ولتاژ بالا، میدان الکتریکی قوی، زمان صعود کم (با این معنا که فرکانس بالا دارند)، اغتشاش و تاخیرکوتاه دارند. این ویژگی‌ها به‌منظور هماهنگ‌سازی و اتصال به تجهیزات حساس استفاده می‌شوند، به‌ویژه در صنایعی که نیاز به انتقال انرژی الکتریکی با دقت و کیفیت بالا دارند. مدارهای مارکس بهمنی یک روش اساسی برای تولید پالس‌های با ولتاژ بالا و مدت زمان زیر نانوثانیه با نرخ تکرار بالا می‌باشند. با این حال، مدارهای مارکس سنتی بهمنی (TAMC) به سختی قادر به دستیابی به نرخ تکرار 100 کیلوهرتز هستند و اغلب در نزدیکی یک کیلوهرتز از کار می‌افتند. با استفاده از یک خط انتقال میکرواستریپ این مشکل حل می‌شود. درایتدای این پروژه، شبیه‌سازی ژنراتور مارکس با مدل شکست بهمنی، با استفاده ازمدل ترانزیستور FMMT417 انجام شد و اثر تغییرات المان‌های مختلف برروی شکی موج خروجی در نرم افزار PSPICE بررسی شد. مشکل اصلی این مدارات در آسیب‌پذیری بسیار زیاد ترانزیستور مرحله دوم است. در این تحقیق، از طریق تجزیه و تحلیل مکانیزم دشارژ آن، مشخص شده است که آسیب به ترانزیستور مرحله دوم با سرعت پایین روشن شدن ترانزیستور مرحله اول مرتبط است. درواقع، ترانزیستور مرحله اول آخرین ترانزیستوری است که در اثر شکست بهمنی وارد شکست می‌شود و باعث می‌شود ترانزیستور مرحله دوم که از قبل تحریک شده است، به‌صورت کوتاه‌مدت تحت تنش الکتریکی بسیار زیادی قرار گیرد. این تنش الکتریکی، ولتاژ ایجاد شده غیر فعال مرحله دوم است که به‌طور مستقیم باعث آسیب آسان ترانزیستور مرحله دوم می‌شود. بنابراین، یک مدار بهبود یافته مارکس بهمن ارائه‌شده است. با اتصال یک مقاومت حفاظتی به‌صورت سری با ترانزیستور مرحله دوم، ولتاژ غیرفعال سرکوب می‌شود. در این تحقیق، علاوه بر ولتاژ و زمان صعود، توانایی حمل جریان ترانزیستورها در بارهای مختلف نیز مورد بررسی قرارگرفته است. ترانزیستورهای 417FMMT به دلیل توانایی بالایی در حمل جریان در پالس‌های کوتاه، عملکرد بهتری نسبت به سایر ترانزیستورها از خود نشان می‌دهند. نتایج حاصل از شبیه سازی با مدار طراحی شده نزدیک نبودند که به علت عدم تجهیزات مناسب آزمایشگاهی بود.