چکیده: تقویت سیگنال تولیده شده در آشکارسازهای سوسوزن توسط لامپ تکثیرگر فوتون صورت می گیرد. این لامپ ها معمولا با کریستال‌های سوسوزن جفت می‌شود. کارکرد کریستال ایجاد درخش یا نور است، این نور تولید شده از پنجره لامپ تکثیرگر فوتون عبور می‌کند و سپس از لایه فوتوکاتد عبور می‌کند. فوتوکاتد باعث گسیل الکترون ثانویه می‌شود. این الکترون‌های ساطع شده از فوتوکاتد توسط داینودها تحت تاثیر یک میدان الکتریکی بسیار قوی تکثیر می‌یابند و در نهایت این الکترون‌های ثانویه تولید شده توسط آند جمع‌آوری می‌شوند و باعث تولید پالس با بار منفی می‌شود و توسط سیستم‌های الکترونیکی آشکار می‌شود، و ویژگی‌هایی مانند زمان عبور الکترون، زمان خیزش و زمان سقوط، زمان پهن شدگی الکترون یا تمام پهنا در نیم بیشنه (FWHM) و ... را تعیین می‌کنند. در این پژوهش یک ساختار داینود جعبه و شبکه با استفاده از نرم‌افزار CST طراحی شد و پارامترهای ضریب تکثیر و بهره لامپ تکثیرگر فوتون بررسی شد. ترابرد الکترون‌های ثانویه تولید شده که از چشمه گسیل می‌شوند تا لحظه رسیدن به آند مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین اثر میدان مغناطیسی که توسط سیم‌پیچ بر روی لامپ تکثیرگر فوتون اعمال می‌شود مور بررسی قرار گرفته است. نتایج این پژوهش نشان داد استفاده از داینودهای تک شبکه ضریب تکثیر بهتر و بهره بیشتری نسبت به داینودهای دو شبکه ایجاد می‌کند. همچنین با اعمال اختلاف پتانسیل بیشتر در آند نسبت به سایر داینودها، مقدار الکترون‌های ثانویه جمع‌آوری شده بیشتر خواهد بود، این مزیت باعث بهره بالاتر لامپ تکثیرگر فوتون می‌شود. اعمال میدان مغناطیسی به داخل لامپ تکثیرگر فوتون نشان می دهد تکثیر الکترون‌ها و به‌طبع بهره لامپ تکثیرگر فوتون در برابر میدان مغناطیسی کاهش می‌یابند و این امر یک عیب اساسی برای لامپ‌های تکثیرگر فوتون است. یکی از روش‌های حذف میدان مغناطیسی استفاده از یک رسانا با تراوایی مغناطیسی بالا است، تا از اعمال میدان مغناطیسی به داخل لامپ تکثیرگر فوتون جلوگیری شود. نتایج حاصل از شبیه‌سازی‌ها نشان می دهد قرار دادن یک رسانا با تراوایایی مغناطیسی بالا می‌توان اثر میدان مغناطیسی را تا حد خیلی زیادی حذف کرد.