چکیده: چکیده در این رساله خواص فیزیکی لایه‌های نازک MoO3، همچنین خواص فوتودیودی UV و IR ساختار ناهمگون n-MoO3/p-Si و آشکارساز نوری فرابنفش MSM، با پیکربندیAu/MoO3/Au تهیه شده به روش‌های اکسایش حرارتی و کندوپاش واکنشی مورد بررسی قرار گرفتند. در این تحقیق برای مشخصه یابی نمونه‌ها مورد مطالعه از: میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FE-SEM)، طیف سنجی پاشندگی انرژی پرتو ایکس(EDX)، پراش پرتو ایکس(XRD)، طیف سنجی رامان (Raman)، طیف سنجی اپتیکی فرابنفش- مرئی (UV-Vis)، طیف سنجی فوتولومینسانس (PL)، مشخصه یابی I-V در شرایط تاریکی و نورتابی استفاده شده است. نخست به سنتز لایه‌های اکسید مولیبدن به روش‌های اکسایش حرارتی لایه فلزی مولیبدن و همچنین روش کندوپاش واکنشی روی زیرلایه شیشه پرداختیم. مشخص شد نمونه‌ی تهیه شده با شارsccm60 گاز اکسیژن(نمونهG60) شرایط بهینه نوری و الکتریکی را دارا می‌باشد، همچنین در نمونه‌های تهیه شده به روش کندوپاش واکنشی، نمونه SR400، بازپخت شده در دمای ℃400 دارای شرایط رشد بهینه نوری و ساختاری می‌باشد. در ادامه به منظور بررسی خواص فوتودیودی و آشکارسازی فوتون‌های UV و IR، لایه‌ها با شرایط بهینه بدست آمده جهت تهیه فوتودیود ساختار ناهمگون n-MoO3/p-Si و آشکارساز نوریAu/MoO3/Au به روش اکسایش حرارتی و کندوپاش واکنشی روی زیر لایه‌ی سیلیکون لایه نشانی شدند. مشخص شد نمونه‌ی تهیه شده با شرایط بهینه نمونه بدست آمده در روش اکسایش حرارتی دارای بالاترین نسبت پاسخ نوری به تابش فروسرخ (17) و فرابنفش(6/11) است. همچنین برای نمونه‌های تهیه شده با شرایط بهینه به روش کندوپاش واکنشی بیشترین نسبت پاسخ نوری به تابش فروسرخ(650) و فرابنفش(455) متعلق به نمونه تهیه شده با شار گازهای (sccm 3/12Ar/O2:) است.