چکیده: در این رساله تجربی ما برآن شدیم با توجه به مشکلات موجود به بررسی نتایج آنالیز نانوذرات CTS و CZTS و لایه های نازک آنها بپردازیم. در اینجا ما نانوذرات را با روش شیمیایی حلال گرمایی و لایه های نازک آنها را با روش ساده لایه نشانی قطره ای تهیه نموده ایم. اهداف ما در بررسی موارد ذکر شده در ذیل پدید آوردن مجموعه ای از مفاهیم پایه ایی مفید،کاربردی وانجام نشده در حوزه تحقیقات فیزیکی تجربی در زمینه نانوذرات CTS وCZTS می باشد. در ترکیب سه تاییCTS و لایه های نازک تهیه شده ، نتایج زیر حاصل شدند: 1. حضور و مقدار "“PVP به عنوان عامل پایدار کننده یا پوششی سبب تغییر اندازه و شکل ذرات و ایجاد یک سطح آبدوست ( سبب حل شدن سریع نانوذرات در حلال های پایه آبی و ایجاد جوهر پایدار جهت تهیه لایه های نازک ) شده است. 2. با افزایش "دمای واکنش"، افزایش اندازه ذرات و مورفولوژی یکنواخت (ذرات کروی)، افزایش گاف نواری با افزایش Sn مشاهده شدند. 3. جانشانی نمک "استات مس" سبب تغییر ساختار از چهارگوشی به شش گوشی و پدید آمدن ذرات بی شکل و حضور ناخالصی Cu4S7 شده است. 4. لایه های نازک تهیه شده از نانوذرات حاصله بعد از پخت از خود کاهش گاف نواری و مقاومت الکتریکی در اثر افزایش اندازه بلورک و تغییر نسبت تناسب عنصری از خود نشان داده اند. در ترکیب چهار تایی CZTS و لایه های نازک آنها ، موارد زیر مورد بررسی قرار گرفتند : 1. در بررسی "دمای واکنش" و "نسبت تناسب عنصری" در نانوذرات با افزایش دما کاهش گاف نواری و افزایش اندازه بلورک، و افزایش Sn مشاهده شد. در لایه های نازک از این نانوذرات بعد از پخت در اتمسفر آرگون کیفیت بلورینگی بهبود یافته است در حالیکه پخت در اتمسفر آرگون/ سولفور سبب ایجاد سطح متراکم تر و بدون ترک خوردگی با ضخامت بیشتر حاصل شده است. 2. جانشانی نمک استات مس و روی و افزایش دمای واکنش سبب تشکیل ساختار شش گوشی با گاف نواری کوچکتر از ساختار چهارگوشی شده و همچنین با افزایش دما نسبت تناسب عنصری بهود یافته است. 3. افزایش مقدار آهن در ترکیب آلیاژی (Cu2ZnxFe1-xSnS4(CZFTS سبب تغییر ساختار از کسترایت به استنایت، کاهش گاف نواری و جابجایی قرمز قله های رامان شده است . همچنین لایه های پخته شده در اتمسفر آرگون افزایش اندازه بلورک و کاهش مقاومت بعد از پخت را نشان داده اند که البته لایه های پخته شده با افزایش آهن افزایش مقاومت را بدلیل اینکه آهن دارای هدایت الکتریکی کمتری از روی دارد را از خود نشان داده اند.