چکیده: در این تحقیق نظری به بررسی وابستگی دمایی مشخصه جریان – ولتاژ (I-V) در برخی دیودهای شاتکی شامل اتصالات فلز-نیمرسانا (MS) Au/n-GaN (رشد یافته به دو روش متفاوت) و اتصالات فلز-اکسید-نیمرسانا (MOS) در ساختار Au/SiO2/n-GaAs، بر مبنای نظریه گسیل گرمایونی و نظریه تعمیم یافته آن پرداخته ایم. در گستره ولتاژهای اعمال شده پایین، تحلیل به کار گرفته شده در خصوص تعیین ارتفاع سد پتانسیل و ضریب ایده آلی مبتنی بر دو رهیافت می باشد: نظریه نخست بر پایه نوار-تخت در محل فصل مشترک با در نظر گیری تفاوت در ارتفاع سد پتانسیل در نقاط مختلف تماس ناشی از تاثیر نیروی بارهای تصویری و نظریه دوم بر پایه توزیع ناهمگون عرضی ارتفاع سد پتانسیل در نقاط مختلف فصل مشترک ناشی از ناهمواری ها سطح و نیز حضور ناراستی های بلوری. در نمونه های مورد بررسی معلوم شد که با افزایش دما ضریب ایده آلی قطعات روندی کاهشی و ارتفاع سد روندی افزایشی دارد. در تحلیل داه ها دریافتیم که در نظریه نخست ضریب دمایی تغییرات ارتفاع سد موثر بخوبی با ضریب دمایی گاف نواری نیمرسانا هماهنگ می باشد، و در نظریه دوم با در نظر گیری توزیع گوسی برای ارتفاع سد های پتانسیل عرضی کمیت انحراف معیار (که نشانگر میزان توزیع یک کمیت نسبت به مقدار میانگین اش است) پارامتر مهمی می باشد. در این بین هماهنگی قابل قبولی بین مقادیر ارتفاع سد موثر در نظریه اول و مقدار ارتفاع سد پتانسیل میانگین (قله توزیع گوسی) در نظریه دوم حاصل شد. علاوه بر این معلوم شد نظریه دوم نه تنها در بردارنده نتایج نظریه مقدماتی است بلکه به خوبی برآورنده بزرگی ضریب موثر ریچاردسون در این پیوندگاه هاست.