چکیده: لایه نازک Cu(In,Ga)S2 یک لایه نازک خوب جهت استفاده به عنوان لایه جاذب در سلول های خورشیدی است که توجهات زیادی را در مقایسه با سلول های ساخته شده بر پایه Si به سبب بازده بالا و هزینه ساخت کم به خود اختصاص داده است. به عنوان یک روش ارزانتر نسبت به روش های مبتنی بر خلا، روش های بر پایه محلول به طور موفقیت آمیزی جهت ساخت قطعات الکترونیکی از قبیل ترانزیستورها و سلول های خورشیدی به کار گرفته شده اند. در این کار لایه های جاذب CIS2 با مقادیر ضخامت و pH متفاوت مورد بررسی فیزیکی قرار داده شده است. نتایج نشان داد که در pH ثابت، با افزایش ضخامت، گاف نواری کاهش می یابد و در pH کمتر و ضخامت بالاتر، مقاومت کاهش می یابد. همچنین با لایه نشانی آن بر روی زیرلایه های متعدد (اعم از صلب و انعطاف پذیر)، مشخصه یابی فیزیکی ازآن ها به عمل آمده است. نتایج این بخش نشان داد که لایه های تهیه شده روی زیرلایه های انعطاف پذیر رسانندگی کمتری دارند. بررسی ترکیب CIS2/CNTs و رشد و مشخصه یابی لایه های جاذب CuIn(Alx,Ga1-x)S2 از دیگر کارهای انجام شده در این تحقیق بوده است. نتایج نشان داد که اضافه کردن CNT منجر به تشکیل اتصال p-n می شود. همچنین در کار دیگری، رشد و مطالعه فیزیکی لایه های CuInx(Aly,Ga1-y)1-xS2 انجام شد. نهایتا ساخت و مشخصه یابی سلول های خورشیدی بر پایه لایه های جاذب Cu(Inx,Ga1-x)S2 نیز جهت تکمیل فرایند تحقیق انجام پذیرفته است. بازده سلول های خورشیدی ساخته شده با استفاده از لایه جاذب Cu(Inx,Ga1-x)S2 تا حدود مقدار6% بدست آمده است. جوهر مورد استفاده در این به صورت تجاری قابل دسترس بوده و ترکیبات و محلول های ساخته شده از آن می توانند به وسیله تکنیک های متفاوت بر روی زیرلایه های متعدد لایه نشانی شوند. لایه های تولید شده در این کار عاری از آلودگی CuS و کربن آمورف که مسئله ای جدی در بسیاری از روش های مبتنی بر محلول است بوده اند.