چکیده: چکیده در ساختار سلول خورشیدی پروسکایتی، لایه فشرده مسدود کننده (لایه بلاک) نقش مهمی در افزایش راندمان تولید حفره و الکترون دارد. لایه مسدود کننده سبب جلوگیری از ترکیب مجدد حاملهای اکسایتون در سطح تماس اکسید قلع آلایش یافته با فلورین (FTO) و لایه پروسکایت می شود، از سویی با جلوگیری از انتقال حفرات به آند سبب جلوگیری از پیوند کوتاه و بازترکیبی بار و حفره می شود. باتوجه به تجربه های بدست آمده درساخت سلول خورشیدی پروسکایتی، استفاده از نانو ذرات اکسیدی مانند SnO2،TiO2 و ZnO اثر مثبتی برروی پارامترهای فوتوولتائی سلول خورشیدی دارند. دراین پایان نامه به ساخت و مشخصه یابی سلولهای خورشیدی پروسکایتی لایه نازک بر پایه اکسید روی (ZnO) پرداخته شده است. هدف از این پژوهش، مطالعه ی نقش لایه مسدود کننده ZnO و مطالعه ی خواص فتوولتائی آن به عنوان بستر انتقال بار در سلول خورشیدی پروسکایتی بوده است. در این تحقیق، ابتدا نانو ساختار ZnO با روش سل-ژل سنتز شد و سپس محلول ZnO تهیه و با روش لایه نشانی چرخشی در ساختارسلول های خورشیدی پروسکایتی بکارگرفته شد. پس از سنتز پودر ZnO و تهیه محلول آن سلول های خورشیدی پروسکایتی با روشی که در متن این تحقیق آمده ساخته شد. مشخصه یابی این سلول ها به وسیله آنالیزهای پراش پرتو ایکس (XRD)، طیف سنجی مادون قرمز (FT-IR)، طیف سنجی فوتولومینسانس (PL) و اندازه گیری طیف بازتاب نفوذی (UV–Vis) انجام شد. نتابج نشان می دهد که راندمان سلول های ساخته شده فاقد لایه انتقال دهنده حفره، با افزایش ضخامت لایه مسدود افزایش می یابد.