چکیده: در سالهای اخیر نیمرساناهای مغناطیسی رقیق به دلیل توانایی بالا در تولید جریان قطبیده اسپینی و کاربرد آنها در اسپینترونیک مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته اند. تحقیقات نشان داده است که آلایش عناصر واسطه در نیمرساناهای با گاف نواری بزرگ باعث ایجاد دمای گذار فرومغناطیسی بالاتری می شود.SiC یکی از این نیمرساناها است که کاندیدای خوبی برای استفاده در صنعت اسپینترونیک می باشد. در این پروژه به بررسی برخی از خواص این نیمرسانا و اثر آلایش منگنز در آن می پردازیم. محاسبات با استفاده از نرم افزار PWscf که بر مبنای نظریه تابع چگالی می باشد، انجام شده است. ابتدا به محاسبه نوارهای انرژی و چگالی حالات نیمرسانایSiC -β پرداخته و سپس محاسبات را برای SiC -β آلایش یافته با عنصر منگنز در غلظتهای مختلف13/3% ٫ 25/6% و25% انجام داده ایم. با آلایش منگنز و محاسبه چگالی حالتها وجود حالت فرومغناطیسی پایا با گشتاور مغناطیسی نسبتاً بزرگ در ماده تایید شد. همچنین مشاهده قطبش اسپینی در انرژی فرمی به خصوص در غلظت 25/6% دلیل خوبی برای نیمه فلزی بودن این ترکیب و کاربرد آن در وسایل اسپینترونیک می باشد.