چکیده: امروزه بدلیل کاربرد وسیع گاف نواری پهن نیمرساناهای نیتروژندار در قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی و قابلیت عملکرد در انرژی، دما و توان بالا، این ترکیبات مورد توجه زیادی قرار گرفته اند. بیشتر تحقیقات مربوط به نیمرساناهای نیتروژندار بر روی سه مکانیزم مهم متمرکزند: 1. جدایی فاز ناشی از خوشه های ایندیمی در ناحیه فعال InGaN. 2. میدان پیزوالکتریک در InGaN که از عدم تطابق میان ثابت شبکه InGaN و زیرلایه GaN نتیجه میشود. 3. میدان قطبش خودبخودی ناشی از عدم تقارن در ساختار ورتزایت. تعیین اینکه کدامیک از این سه مکانیزم در بازترکیب تابشی و در نتیجه بازده نوری، غالب است از اهمیت بالایی برخوردار است. یک ویژگی مهم نیمرسانای InGaN تمایل شدید اتم های ایندیم به تجمع و تشکیل خوشه های ایندیمی است. شبه نقاط کوانتومی که از خوشه های ایندیمی بوجود می آیند نقش مهمی در مکانیزم بازترکیب های نوری ایفا می کنند و بعنوان مراکز جایگزیدگی در گیراندازی اکسیتون شرکت می کنند. به دلیل رفتار مذکور در اتم های ایندیم هنوز مقدار دقیق گاف نواری InN بخوبی شناخته نشده است و گزارشات متعدد مقدار آنرا بین 7/0 تا eV1/2 بیان کرده اند. از آنجا که InGaN در چاه های کوانتومی InGaN/GaN نقش ناحیه فعال (چاه) را بازی می کند، لذا درک مکانیزم های بازترکیب در آن از اهمیت ویژه ای برخوردار است. در این پایان نامه بر آنیم تا با استفاده از تکنیک مشخصه یابی فتولومینسانس وابسته به دما و توان تحریک پی به ویژگی های چاه های کوانتومی InGaN ببریم. نمونه های مورد مطالعه در این پایان نامه چاه های کوانتومی چندگانه InGaN/GaN هستند که با روش MOCVD و بر روی زیرلایه سپفایر (Al2O3) رشد داده شده اند. هدف ما مطالعه رفتار اپتیکی InGaN و بررسی شرایط رشد مطلوب (با در نظر گرفتن تغییرات دما و فلوی ایندیم حین رشد) جهت استفاده در موارد کاربردهای اپتیکی مختلف می باشد.