سمینارعلمی: مهندسی رشد لایههای اپیتکسیال سیلیکون کارباید برای کاربردهای کوانتومی و مدارهای مجتمع فوتونیکی
دکتر میثاق قزلو سه شنبه مورخ ۱۴۰۴/۱۰/۰۹، ۱۱:۳۰ صبح
دانشکده فیزیک و مهندسی هستهای، کلاس 208
