به دنبال راهکارهایی برای رفع چالش های صنعت میکروالکترونیک کشور می باشد.
محورهای رویداد:
الف – ساخت محصول فناورانه:
1- طراحی و ساخت پروب سرد
2- طراحی و ساخت لایه underfill با توجه به نتایج شبیه سازی ها و مهندسی معکوس
3-طراحی و ساخت ستاپ PL
ب- چالش فناورانه :
1-تست CVو ارائه مشخصات قابل استخراج برای تست اکسید در Si
2-ارائه روش تست لایف تایم و موبیلیتی در لایه های خاص
3-ارائه روش تست DLTS
4-ارائه پروسس فلو برای لیتوگرافی با استفاده از رزیست منفی و دلوپر مناسب بر روی لایه Al/TiW و AL/TiN بدون آسیب زیرلایه
5-استخراج استیوکیومتری لایه های بازنشانی شده
6-بررسی و تحلیل اتصالات و لایه های فلزی بازنشانی شده و استخراج مقاومت آنها
7- طراحی پروسه سولفوریشن برای آشکارساز نوری بر روی بستر مورد نظر
8- سایر موضوعات مرتبط (جهت آگاهی به آدرس مرکز ایمیل (info@sofic.ir) ارسال نمایید.)
مراحل رویداد :
دریافت پروپوزال ها : تا تاریخ 30 تیر
بررسی و اعلام نتیجه اولیه : 15 مرداد
عقد قرار داد و حمایت از نمونه اولیه : 30مرداد
معرفی تیم های برگزیده در رویداد : 20 شهریور