چکیده: در این پایان نامه با استفاده از روش مکانیک ساختاری و نرم افزار ABAQUS نانو سیم های سیلیسیم <100>، <110>، <111> بصورت منفرد و دسته نانو سیم مدل سازی و تحلیل شده است. میدان های نیروی بکار گرقته شده جهت مدل سازی در این مطالعه، میدان نیروی DREIDING است. خواص مکانیکی از قبیل مدول یانگ، ضریب پواسون، مدول برشی، بیشینه جابجایی عرضی در حالت تیر یکسر گیردار و بار بحرانی کمانشی با شرایط مرزی ستون دو سرگیردار برای ضخامت های 1 تا 4 نانومتر با طول های 5/0 تا 20 نانومتر محاسبه شده است. نتایج تحلیل نانو سیم منفرد نشان می دهد مقدار مدول یانگ و مدول برشی با افزایش ضخامت افزایش می یابد و در ضخامت های بزرگتر از 10-7 نانومتر به خواص توده ای سیلیسیم میل می کند. مقدار مدول یانگ برای هر ضخامت ثابت و یکتا است. در یک ضخامت ثابت، بیشینه مقدار مدول یانگ به ترتیب به نانوسیم های <110>، <111> و <100> تعلق دارد و همچنین بیشینه مدول برشی را نانو سیم<100> و کمترین آن را <110> دارا می باشند. نتایج تحلیل دسته نانو سیم ها نشان می دهد در محدوده خاصی از ضخامت نانو سیم ها که عموما در محدوده 4-3 نانومتر است، رفتاری متفاوت نسبت به حالت منفرد دارند. بطور نمونه در تحلیل کمانشی، افزایش مقدار بار بحرانی دیده می شود. نتایج حاصل از این روش در مقایسه با روش دینامیک مولکولی با سرعت بیشتر محاسبه می شود و مطابقت مطلوبی با آن دارد.