{
    "metadata": {
        "dataset_id": "shahroodut-thesis",
        "record_id": "QC90",
        "title": "بررسی نظری خواص الکتریکی لایه ها و نانوساختارهای اکسید روی و قطعات وابسته",
        "publisher": "دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "owner": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "license": "CC-BY-4.0",
        "license_url": "https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/",
        "license_text": "استفاده، بازنشر، تحلیل، پردازش و بهره برداری پژوهشی، آموزشی و صنعتی با ذکر منبع دانشگاه صنعتی شاهرود مجاز است.",
        "publication_date": "1390",
        "last_update": "2026-07-11",
        "language": "fa",
        "format": "application/json",
        "contact": "thesis@shahroodut.ac.ir",
        "access": {
            "fulltext_available": "true",
            "public_access": "true"
        }
    },
    "data": {
        "thesis_id": "QC90",
        "title": "بررسی نظری خواص الکتریکی لایه ها و نانوساختارهای اکسید روی و قطعات وابسته",
        "degree": null,
        "faculty": "فيزیک",
        "year": 1390,
        "authors": [
            {
                "name": "محمد امیرعباسی",
                "role": "پدیدآور اصلی"
            },
            {
                "name": "حسین  عشقی",
                "role": "استاد راهنما"
            }
        ],
        "keywords": [
            "اکسید روی",
            "نیمرسانا",
            "خواص ترابری الکتریکی",
            "ساختارهای کپه ای",
            "ساختارهای ناهمگون",
            "ترانزیستورهای اثر میدانی",
            "کانال بلند",
            "کانال کوتاه"
        ],
        "abstract": "اکسید روی (ZnO) با ترکیب عناصر گروه II-VI در زمره نیمرساناهای با گاف نواری مستقیم و پهن (eV37/3) بشمار می آید. این ویژگی اهمیت زیادی نه تنها در قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی در قطعات اپتوالکترونیکی، نظیر دیودهای نورگسیل و دیود لیزرهای آبی و بنفش، همچنین آشکارسازهای نوری نیز دارد. به کارگیری این ماده در این قطعات مستلزم تهیه آن به صورت تک بلوری می باشد. این موضوع همچنان مسئله ای است که در مجامع بین المللی مورد توجه بسیار است. \r\nدر این رساله ابتدا با توجه به داده های گزارش شده مربوط به خواص ترابری الکتریکی در این ماده به طور نظری به تاثیر روش رشد بر خواص ترابری الکتریکی این ماده در شرایط کپه ای خالص و آلایش شده (ZnO:P) پرداخته ایم. علاوه بر این به بررسی داده های تجربی گزارش شده در ساختارهای ناهمگون ZnMnO/ZnO و ZnMgO/ZnO پرداخته و علل رفتاری خواص الکتریکی سیستم های گاز الکترون دو بعدی (2DEG) را در این نانو ساختارها مورد بررسی قرار داده ایم. لازم به ذکر است که ساختار اول با توجه به میزان پایین منیزیم به کار گرفته شده در ترکیب بندی آن، موسوم به نیمرسانای مغناطیسی رقیق شده، علاوه بر کاربردهای الکتریکی دارای کاربردهای مغناطیسی نیز می باشد و ساختار دوم با توجه به تحرک بالای گاز الکترونی در ساخت ترانزیستورهای الکترونی با تحرک بالا (HMTs) کاربرد دارد. سرانجام در این تحقیق به بررسی خواص الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدانی  در شرایط لایه نازک و نانوسیم  ZnOپرداخته ایم. در این مطالعه تاثیر دی الکتریک یک و چند لایه ای و نیزضخامت دی الکتریک دروازه مورد بررسی قرار گرفته است. در این بخش با توجه به ابعاد هندسی کانال رسانا نمونه ها براساس آثار کانال بلند و کانال کوتاه مورد بررسی قرار گرفته اند.",
        "repository": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "note": "حقوق مادی و معنوی متعلق به دانشگاه صنعتی شاهرود می باشد.",
        "download_url": "https://shahroodut.ac.ir/fa/thesis/files/somefiles/sf_QC90.pdf"
    },
    "dictionary": {
        "thesis_id": "شناسه پایان نامه",
        "title": "عنوان پایان نامه",
        "degree": "مقطع تحصیلی",
        "faculty": "دانشکده",
        "year": "سال دفاع",
        "authors": "پدیدآورندگان",
        "keywords": "کلیدواژه ها",
        "abstract": "چکیده",
        "repository": "محل نگهداری",
        "note": "یادداشت",
        "download_url": "آدرس فایل پایان نامه"
    }
}