{
    "metadata": {
        "dataset_id": "shahroodut-thesis",
        "record_id": "QC64",
        "title": "بررسی اثر بازپخت و هیدروژندهی بر خواص الکتریکی مواد نیمرسانای نیتروژندار رقیق",
        "publisher": "دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "owner": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "license": "CC-BY-4.0",
        "license_url": "https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/",
        "license_text": "استفاده، بازنشر، تحلیل، پردازش و بهره برداری پژوهشی، آموزشی و صنعتی با ذکر منبع دانشگاه صنعتی شاهرود مجاز است.",
        "publication_date": "1390",
        "last_update": "2026-07-11",
        "language": "fa",
        "format": "application/json",
        "contact": "thesis@shahroodut.ac.ir",
        "access": {
            "fulltext_available": "true",
            "public_access": "true"
        }
    },
    "data": {
        "thesis_id": "QC64",
        "title": "بررسی اثر بازپخت و هیدروژندهی بر خواص الکتریکی مواد نیمرسانای نیتروژندار رقیق",
        "degree": null,
        "faculty": "فيزیک",
        "year": 1390,
        "authors": [
            {
                "name": "فاطمه تيزرو اسپلي",
                "role": "پدیدآور اصلی"
            },
            {
                "name": "حسین  عشقی",
                "role": "استاد راهنما"
            }
        ],
        "keywords": [
            "نیمرساناهای نیتروژندار رقیق",
            "GaNAs",
            "InGaNAs",
            "خواص ترابری الکتریکی",
            "ناخالصی بخشنده Si و Te",
            "بازپخت گرمایی",
            "هیدروژندهی."
        ],
        "abstract": "برخی خواص فیزیکی منحصر بفرد نیمرساناهای نیتروژندار رقیق (In)GaNAs ‌سبب شده است که در دهه ی اخیر به عنوان ماده ای جالب توجه در دیود لیزرهای فروسرخ، سلولهای خورشیدی چند پیوندگاهی با بازده بالا و سایر ابزارهای الکتریکی مورد توجه زیادی قرار گیرند. معلوم شده است که با افزودن نیتروژن به مقدار ناچیز (کمتر از 5%) به نیمرسانای GaAs، گرچه گاف انرژی آن را به طور قابل ملاحظه ای کاهش جرم موثر الکترونها افزایش کاهش می یابد. داده های تجربی همچنین حاکی از آن است که نمونه های تازه رشد یافته اغلب دارای تراکم و تحرک الکترونی پایینی هستند.\r\nهدف ما در این رساله بررسی تاثیر بازپخت و هیدروژن دهی بر روی خواص ترابری الکتریکی نیمرسانای نیتروژن دار رقیق GaNAs (آلایش یافته با اتمهای Si و Te) و InGaNAs (خالص و آلایش شده با Si) است. در این مطالعه محاسبات ما در خصوص توصیف رفتار دمایی داده های وابسته به تراکم و تحرک حامل ها در نمونه های گزارش شده بترتیب مبتنی بر در نظرگیری شرط خنثایی بار و نیز سازو کارهای مختلف پراکندگی است. \r\nنتایج ما حاکی از آن است که به طور کلی با انجام عملیات بازپخت حرارتی سریع، تراکم و تحرک الکترونی به دلیل کاهش تراکم تله های الکترونی وابسته به اتمهای نیتروژن افزایش می یابد. همچنین لازم به ذکر است که افزایش تراکم حاملها در نمونه های آلایش یافته با اتمهای Si، بدلیل غیر فعال شدن آنها در اثر ایجاد پیوندهای Si-N، کمتر از افزایش مشاهده شده در نمونه های آلایش یافته با Te می باشد.\r\nمطالعات ما در مورد هیدروژن دهی نمونه ها گویای آن است که: (الف) در نمونه های بدون آلایش به دلیل نقش هیدروژن به عنوان یک اتم بخشنده و تشکیل کمپلکس های تک هیدروژنه و دو هیدروژنه گاف نواری افزایش و خواص ترابری الکتریکی بهبود می یابد، (ب) در نمونه های آلایش یافته نوع n با توجه به آنکه کسری از اتمهای هیدروژن در نقش اتمهای پذیرنده عمل می کنند در نتیجه ناخالصی افزوده شده را غیر فعال ساخته و به کاهش تراکم حاملهای بار منجر می گردند.",
        "repository": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "note": "حقوق مادی و معنوی متعلق به دانشگاه صنعتی شاهرود می باشد.",
        "download_url": "https://shahroodut.ac.ir/fa/thesis/files/somefiles/sf_QC64.pdf"
    },
    "dictionary": {
        "thesis_id": "شناسه پایان نامه",
        "title": "عنوان پایان نامه",
        "degree": "مقطع تحصیلی",
        "faculty": "دانشکده",
        "year": "سال دفاع",
        "authors": "پدیدآورندگان",
        "keywords": "کلیدواژه ها",
        "abstract": "چکیده",
        "repository": "محل نگهداری",
        "note": "یادداشت",
        "download_url": "آدرس فایل پایان نامه"
    }
}