{
    "metadata": {
        "dataset_id": "shahroodut-thesis",
        "record_id": "QC484",
        "title": "مطالعه ساختار الکترونی و خواص اپتیکی نانو ساختارهای سیلیکون نیتراید",
        "publisher": "دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "owner": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "license": "CC-BY-4.0",
        "license_url": "https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/",
        "license_text": "استفاده، بازنشر، تحلیل، پردازش و بهره برداری پژوهشی، آموزشی و صنعتی با ذکر منبع دانشگاه صنعتی شاهرود مجاز است.",
        "publication_date": "1398",
        "last_update": "2026-07-11",
        "language": "fa",
        "format": "application/json",
        "contact": "thesis@shahroodut.ac.ir",
        "access": {
            "fulltext_available": "true",
            "public_access": "true"
        }
    },
    "data": {
        "thesis_id": "QC484",
        "title": "مطالعه ساختار الکترونی و خواص اپتیکی نانو ساختارهای سیلیکون نیتراید",
        "degree": null,
        "faculty": "فيزیک",
        "year": 1398,
        "authors": [
            {
                "name": "محمد خسروی",
                "role": "پدیدآور اصلی"
            },
            {
                "name": "مرتضی ایزدی فرد",
                "role": "استاد راهنما"
            },
            {
                "name": "محمد ابراهیم قاضی",
                "role": "استاد راهنما"
            }
        ],
        "keywords": [
            "نظریۀ تابعی چگالی",
            "تقریب شیب تعمیم یافته(GGA)",
            "تقریب چگالی موضعی(LDA)",
            "سیلیکون نیتراید( 4N3Si)",
            "ساختار نواری",
            "چگالی حالت ها",
            "خواص اپتیکی",
            "نانو صفحات خالص β-4N3Si",
            "نانو صفحات آلاییدۀ β-4N3Si"
        ],
        "abstract": "در این پایان نامه با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی و بستۀ محاسباتی wien2k و با استفاده از دو تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) و چگالی موضعی (LDA)، ساختار الکترونی و خواص اپتیکی فاز بتا سیلیکون نیتراید (Si3N4 -β ) در حالت های حجمی و نانو صفحات خالص و آلاییده با اکسیژن ( 6/25، 12/5 و ٢۵ درصد) بررسی شد. برای بررسی خواص الکترونی، ساختار نواری و چگالی حالت های کلی و جزئی و برای بررسی خواص اپتیکی قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، ضرایب شکست و خاموشی و جذب و بازتاب و همچنین رسانندگی اپتیکی و تابع اتلاف انرژی الکترون محاسبه و بررسی شدند. نتایج این بررسی ها نشان دادند کهSi3N4 -β در حالت حجمی دارای گاف نواری غیر مستقیم است که مقدار در تقریب های GGA و LDA بترتیب 4/2 و 4/18 الکترون ولت بدست آمدند. برای نانو صفحات خالص Si3N4 -β محاسبات نشان دادند که گاف نواری به نوع مستقیم تبدیل می شود. مقدار محاسبه شدۀ گاف نواری برای این نانو صفحات در تقریب های GGA و LDA بترتیب 3/5 و 3/2 الکترون ولت بدست آمدند. در نانو ورقه های Si3N4 -β آلاییده با اکسیژن، نوارهای ناخالصی وابسته به ناخالصی اکسیژن در محدودۀ تراز فرمی مشاهده شدند که چگالی آنها با افزایش درصد ناخالصی افزایش یافت. همچنین هم در نوارهای ظرفیت و هم در نوارهای رسانش نانو صفحات آلاییده با اکسیژن، در مقایسه با نانو صفحات خالص افزایش قابل توجه نوارها مشاهده گردید.",
        "repository": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "note": "حقوق مادی و معنوی متعلق به دانشگاه صنعتی شاهرود می باشد.",
        "download_url": "https://shahroodut.ac.ir/fa/thesis/files/somefiles/sf_QC484.pdf"
    },
    "dictionary": {
        "thesis_id": "شناسه پایان نامه",
        "title": "عنوان پایان نامه",
        "degree": "مقطع تحصیلی",
        "faculty": "دانشکده",
        "year": "سال دفاع",
        "authors": "پدیدآورندگان",
        "keywords": "کلیدواژه ها",
        "abstract": "چکیده",
        "repository": "محل نگهداری",
        "note": "یادداشت",
        "download_url": "آدرس فایل پایان نامه"
    }
}