{
    "metadata": {
        "dataset_id": "shahroodut-thesis",
        "record_id": "QC44",
        "title": "اثر فوتوولتایی در سلولهای خورشیدی نیمرساناهای نیتروژندار رقیق",
        "publisher": "دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "owner": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "license": "CC-BY-4.0",
        "license_url": "https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/",
        "license_text": "استفاده، بازنشر، تحلیل، پردازش و بهره برداری پژوهشی، آموزشی و صنعتی با ذکر منبع دانشگاه صنعتی شاهرود مجاز است.",
        "publication_date": "1389",
        "last_update": "2026-07-11",
        "language": "fa",
        "format": "application/json",
        "contact": "thesis@shahroodut.ac.ir",
        "access": {
            "fulltext_available": "true",
            "public_access": "true"
        }
    },
    "data": {
        "thesis_id": "QC44",
        "title": "اثر فوتوولتایی در سلولهای خورشیدی نیمرساناهای نیتروژندار رقیق",
        "degree": null,
        "faculty": "فيزیک",
        "year": 1389,
        "authors": [
            {
                "name": "فائزه محمدبیگی",
                "role": "پدیدآور اصلی"
            },
            {
                "name": "حسین  عشقی",
                "role": "استاد راهنما"
            }
        ],
        "keywords": [
            "سلول خورشیدی",
            "نیمرساناهای نیتروژندار رقیق",
            "بازدهی کوانتومی",
            "عرض ناحیه تهی و طول پخش حامل اقلیت."
        ],
        "abstract": "با توجه به خواص ویژه مواد نیتروژندار رقیق گروه III-V، نظیر کاهش شدید گاف نواری و افزایش جرم موثر الکترون با افزودن مقدار ناچیزی نیتروژن به ترکیب گروه III-V، و اینکه می‌توان آنها را به صورت همخوان شبکه‌ای با ماده GaAs و Ge رشد داد این مواد را به عنوان کاندیدای خوبی برای کاربردهای سلول خورشیدی ساخته است. جالب توجه آن است که استفاده از زیر سلولهای GaInNAs با گاف نواری بین 1 تا 25/1 الکترون ولت می‌تواند به عنوان راهی برای افزایش بازدهی سلولهای خورشیدی سه و یا چهار پیوندگاهی باشد. اگر چه هنوز برخی مسائل مانند خواص ضعیف ترابری حاملها و مشکلات آلایشی موانع سر راه پیشرفت این قطعات هستند.\r\nدر این پایان نامه به بررسی و محاسبه برخی پارامترهای موثر در سلولهای خورشیدی مبتنی بر مواد نیتروژندار رقیق از جمله عرض ناحیه تهی، طول پخش حامل اقلیت، جریان اتصال کوتاه، جریان تاریکی و ولتاژ مدار باز از طریق مدلهای نظری وابسته به بازدهی کوانتومی داخلی سلول خورشیدی پرداخته‌ایم. محاسبات ما حاکی از آنست که در سلولهای خورشیدی با ساختار p-n رشد یافته به روش MBE، میزان آلایش کمتر در لایه نوع n و نیز استفاده از عملیات بازپخت پارامترهای سلول خورشیدی بهبود یافته است. علاوه بر این مشاهده می‌شود که در ساختارهای p-i-n ضخامت لایه i در بهبود بازدهی قطعه موثر است. در فصل اول به مرور بر کارهای انجام شده در این مورد پرداخته و در فصل دوم به طور اجمالی مواد نیتروژندار رقیق Ga(In)NAs را معرفی کرده‌ایم. در فصل سوم با نحوه عملکرد سلولهای خورشیدی آشنا شده و در فصل چهارم روابط و پارامترهای موثر در بازدهی کوانتومی داخلی سلول‌های خورشیدی را بیان نموده‌ایم. سرانجام در فصل پنجم به بررسی و تحلیل داده‌های گزارش شده در سلول‌های خورشیدی مبنتی بر نیمرساناهای نیتروژندار رقیق Ga(In)NAs با ساختارهای مختلف (p-n و p-i-n) پرداخته‌ایم.",
        "repository": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "note": "حقوق مادی و معنوی متعلق به دانشگاه صنعتی شاهرود می باشد.",
        "download_url": "https://shahroodut.ac.ir/fa/thesis/files/somefiles/sf_QC44.pdf"
    },
    "dictionary": {
        "thesis_id": "شناسه پایان نامه",
        "title": "عنوان پایان نامه",
        "degree": "مقطع تحصیلی",
        "faculty": "دانشکده",
        "year": "سال دفاع",
        "authors": "پدیدآورندگان",
        "keywords": "کلیدواژه ها",
        "abstract": "چکیده",
        "repository": "محل نگهداری",
        "note": "یادداشت",
        "download_url": "آدرس فایل پایان نامه"
    }
}