{
    "metadata": {
        "dataset_id": "shahroodut-thesis",
        "record_id": "QC115",
        "title": " مقایسه ی خواص ترابرد الکترونی در دو ماده ی نیمرسانای InN  و AlN در حضور میدان های الکتریکی ضعیف ",
        "publisher": "دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "owner": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "license": "CC-BY-4.0",
        "license_url": "https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/",
        "license_text": "استفاده، بازنشر، تحلیل، پردازش و بهره برداری پژوهشی، آموزشی و صنعتی با ذکر منبع دانشگاه صنعتی شاهرود مجاز است.",
        "publication_date": "1391",
        "last_update": "2026-07-11",
        "language": "fa",
        "format": "application/json",
        "contact": "thesis@shahroodut.ac.ir",
        "access": {
            "fulltext_available": "true",
            "public_access": "true"
        }
    },
    "data": {
        "thesis_id": "QC115",
        "title": " مقایسه ی خواص ترابرد الکترونی در دو ماده ی نیمرسانای InN  و AlN در حضور میدان های الکتریکی ضعیف ",
        "degree": null,
        "faculty": "فيزیک",
        "year": 1391,
        "authors": [
            {
                "name": "اکرم کریمی",
                "role": "پدیدآور اصلی"
            },
            {
                "name": "مرتضی ایزدی فرد",
                "role": "استاد راهنما"
            },
            {
                "name": "هادی عربشاهی",
                "role": "استاد راهنما"
            }
        ],
        "keywords": [
            "ترابرد الکترون ها",
            "معادله بولتزمن",
            "روش برگشت پذیر",
            "نظریه کین",
            "پراکندگی ناشی از فونون های آکوستیکی و اپتیکی قطبی",
            "پراکندگی ناشی از پتانسیل تغییر شکل شبکه",
            "پراکندگی ناشی از اثرپیزوالکتریک",
            "پراکندگی ناشی از ناخالصی های یونیزه",
            "تحرک پذیری الکترون ها",
            "گذار بین دره ای",
            "گذار بین نواری ."
        ],
        "abstract": "در این پایان نامه مسئله ترابرد الکترون ها در دو نیمرسانایInN وAlN درحضور میدان های الکتریکی ضعیف با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر مورد بررسی قرارگرفته است . نتایج این مطالعه نشان می دهد که درمیدان های الکتریکی ضعیف ( V/cm  104  ) ، تنها الکترون های واقع در دره مرکزیΓ در ترابرد الکترون ها سهیم می باشند و گذارهای بین دره ای و بین نواری وجود ندارد ، درحالیکه در میدان های الکتریکی قوی ،الکترون های واقع در دره های مجاور نیز در ترابرد الکترون ها شرکت می کنند و گذارهای بین دره ای و بین نواری نیز صورت می پذیرد . در واقع در میدان های الکتریکی قوی ، الکترون های واقع در دره مرکزیΓ می توانند انرژی لازم برای رفتن به دره های دیگر را کسب نمایند. در بررسی ساختارنواری و تأثیر آن برخواص ترابرد الکترون ها از نظریه کین ، استفاده شده است. همچنین در این کار پراکندگی های ناشی از فونون های آکوستیکی و اپتیکی قطبی ، پتانسیل تغییر شکل شبکه ، اثرپیزو الکتریک ، ناخالصیهای یونیزه نیز بررسی شده است . بستگی تحرک پذیری به دما و همچنین تراکم الکترون ها نیز در دو نیمرسانایInN وAlN مورد بررسی قرار گرفته است .",
        "repository": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "note": "حقوق مادی و معنوی متعلق به دانشگاه صنعتی شاهرود می باشد.",
        "download_url": "https://shahroodut.ac.ir/fa/thesis/files/somefiles/sf_QC115.pdf"
    },
    "dictionary": {
        "thesis_id": "شناسه پایان نامه",
        "title": "عنوان پایان نامه",
        "degree": "مقطع تحصیلی",
        "faculty": "دانشکده",
        "year": "سال دفاع",
        "authors": "پدیدآورندگان",
        "keywords": "کلیدواژه ها",
        "abstract": "چکیده",
        "repository": "محل نگهداری",
        "note": "یادداشت",
        "download_url": "آدرس فایل پایان نامه"
    }
}