چکیده: سلف‌ها و ترانسفورمر‌ها در تکنولوژی CMOS طیف وسیعی از کاربرد‌های فرکانس رادیویی از قبیل تطبیق امپدانس و افزایش بهره در فرستنده‌های بی‌سیم، بهبود پهنای باند در مخابرات داده، نوسان‌سازها، مدولاتورها، فیلترهای میان‌گذر، شیفت‌دهنده‌های فاز و تقسیم‌کننده‌های توان را پیدا کرده‌اند. به طور معمول اکثر سلف‌ها و ترانسفورمرهای غیرفعال، خارج از تراشه قرار دارند. استفاده از قطعات خارج تراشه سبب کاهش پهنای باند، کاهش قابلیت اطمینان و افزایش قیمت سیستم می‌شود. سلف‌های فعال CMOS در مقایسه با همتایان مارپیچی خود از مزایایی مانند: فضای اشغالی کم، فرکانس خودتشدید بالا و قابل تنظیم، اندوکتانس بزرگ و قابل تنظیم، ضریب کیفیت بزرگ و قابل تنظیم و سازگاری با تکنولوژی CMOS دیجیتال بر‌خوردارند. با این حال استفاده از سلف‌های فعال CMOS توسط چندین مشکل که ناشی از ویژگی‌های ذاتی ترانزیستورهای MOS مثل نویز ترانزیستورها، حساسیت بالا به فرآیند ساخت و تغییرات ولتاژ تغذیه است، تحت تأثیر قرار می‌گیرند. در این پایان‌نامه یک سلف فعال CMOS بر پایه‌ی ژیراتور طراحی و شبیه‌سازی شده است. سلف فعال پیشنهادی بر اساس ساختار یک سلف فعال استفاده مجدد از جریان است، که با استفاده از یک طبقه سورس مشترک به عنوان طبقه Gm-Boosting باعث بهبود عملکرد نویز سلف فعال پیشنهادی شده است. استفاده از طبقه Gm-Boosting علاوه بر بهبود عملکرد نویز باعث بهبود ضریب کیفیت سلف فعال پیشنهادی نیز شده است. همچنین برای بهبود بیشتر ضریب کیفیت از یک مقاومت در مسیر فیدبک استفاده شده است. روابط تحلیلی ارائه شده در پایان‌نامه نشان می‌دهد که عملکرد نویز و ضریب کیفیت ساختار پیشنهادی نسبت به ساختار اولیه متداول به طور قابل توجهی بهبود یافته است. برای راستی‌آزمایی روش پیشنهادی و اثر آن بر نویز و ضریب کیفیت، سلف فعال پیشنهادی در تکنولوژی استاندارد TSMC 0.18 um CMOS در نرم افزار ADS طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد که سلف فعال پیشنهادی دارای محدوده سلفی از فرکانس 1GHz تا 7.2GHz ، مقدار اندوکتانس 9nH در فرکانس 2.864GHz ، حداکثر ضریب کیفیت 90 در فرکانس 2.864GHz و همچنین ضریب کیفیت بیشتر از 40 در بازه‌ی فرکانسی 2.4GHz تا 3.3GHz می‌باشد. توان مصرفی با منبع تغذیه 1.8V برابر 650uW است. جریان نویز ارجاع ‌داده‌شده به ورودی در فرکانس 2.864GHz ، که ضریب کیفیت دارای حداکثر مقدار است، برابر (22pA/sqrt(Hz است، که حدود 24 % نسبت به ساختار متداول بهبود یافته است.