چکیده: نانولوله‌های نیترید آلومینیومAlN به دلیل دارا بودن ویژگی‌های خاص، نظیر مقاومت گرمایی و دمای نقطه ذوب بالا، هدایت حرارتی قابل توجه، ضریب انبساط حرارتی پایین مورد توجه قرار گرفته است. در این پژوهش خواص ساختاری، الکترونی و پایداری نانولوله‌های دوجداره AlN خالص و آلایش‌یافته و کپسوله شده با اتم Ga، با استفاده از نظریه تابعی چگالی با در نظر گرفتن نیروهای واندروالس (VDW-DFT) توسط کد محاسباتیSIESTA بررسی شده است. محاسبات روی نانولوله‌های دوجداره خالص دسته‌صندلی (n،n)@(۵،۵) با (۱۵-۸=n) و (n،n)@(۶،۶) با (۱۶-۹)=n و زیگزاگ (۰،n)@(۶،۰) با (۱۹-۱۲)=n و (۰،n)@(۵،۰) با (۱۸-۱۱=n) صورت گرفته است. نتایج حاصل از مطالعه پایداری نانولوله‌های دوجداره خالص نشان می‌دهد نانولوله‌های دوجداره AlN خالص دسته‌صندلی با اختلاف کایرالیته ۷، (n,n)@(n+۷,n+۷) و فاصله درون‌جداری Å ۶ و نانولوله-های زیگزاگ با اختلاف کایرالیته ۱۲، (n,۰)@(n+۱۲,۰) و فاصله درون‌جداری ۶/۰۶Å از لحاظ پایداری مناسب‌ترین ساختارها هستند. محاسبات ساختار نواری نشان می‌دهد، تمام نانولوله‌های خالص دسته‌صندلی نیم رسانا با گاف نواری غیر مستقیم و تمام نانولوله‌های خالص زیگزاگ نیم رسانا با گاف نواری مستقیم می‌باشند. گاف نواری نانولوله‌های تک‌جداره AlN ، با افزایش قطر نانولوله‌ها روندی افزایشی دارد و در قطرهای بالاتر، روند تغییرات کندتر می‌شود. همچنین گاف نواری نانولوله‌های دوجداره AlN کمتر از گاف نواری تک تک نانولوله‌های تک‌جداره تشکیل دهنده آن می‌باشد. نانولوله‌های دوجداره زیگزاگ و دسته صندلی AlN با اتم Ga آلایش شدند. نتایج حاصل از آلایش بیانگر کاهش گاف نواری نانولوله ها نسبت به حالت خالص می‌باشد. با کپسوله کردن نانولوله‌ها مشاهده شد که پایداری نانولوله افزایش می‌یابد. نتایج حاصل از این تحقیق می‌تواند جهت مطالعات تجربی آینده مفید واقع شوند.