چکیده: با توجه به خواص ویژه مواد نیتروژندار رقیق گروه III-V، نظیر کاهش شدید گاف نواری و افزایش جرم موثر الکترون با افزودن مقدار ناچیزی نیتروژن به ترکیب گروه III-V، و اینکه می‌توان آنها را به صورت همخوان شبکه‌ای با ماده GaAs و Ge رشد داد این مواد را به عنوان کاندیدای خوبی برای کاربردهای سلول خورشیدی ساخته است. جالب توجه آن است که استفاده از زیر سلولهای GaInNAs با گاف نواری بین 1 تا 25/1 الکترون ولت می‌تواند به عنوان راهی برای افزایش بازدهی سلولهای خورشیدی سه و یا چهار پیوندگاهی باشد. اگر چه هنوز برخی مسائل مانند خواص ضعیف ترابری حاملها و مشکلات آلایشی موانع سر راه پیشرفت این قطعات هستند. در این پایان نامه به بررسی و محاسبه برخی پارامترهای موثر در سلولهای خورشیدی مبتنی بر مواد نیتروژندار رقیق از جمله عرض ناحیه تهی، طول پخش حامل اقلیت، جریان اتصال کوتاه، جریان تاریکی و ولتاژ مدار باز از طریق مدلهای نظری وابسته به بازدهی کوانتومی داخلی سلول خورشیدی پرداخته‌ایم. محاسبات ما حاکی از آنست که در سلولهای خورشیدی با ساختار p-n رشد یافته به روش MBE، میزان آلایش کمتر در لایه نوع n و نیز استفاده از عملیات بازپخت پارامترهای سلول خورشیدی بهبود یافته است. علاوه بر این مشاهده می‌شود که در ساختارهای p-i-n ضخامت لایه i در بهبود بازدهی قطعه موثر است. در فصل اول به مرور بر کارهای انجام شده در این مورد پرداخته و در فصل دوم به طور اجمالی مواد نیتروژندار رقیق Ga(In)NAs را معرفی کرده‌ایم. در فصل سوم با نحوه عملکرد سلولهای خورشیدی آشنا شده و در فصل چهارم روابط و پارامترهای موثر در بازدهی کوانتومی داخلی سلول‌های خورشیدی را بیان نموده‌ایم. سرانجام در فصل پنجم به بررسی و تحلیل داده‌های گزارش شده در سلول‌های خورشیدی مبنتی بر نیمرساناهای نیتروژندار رقیق Ga(In)NAs با ساختارهای مختلف (p-n و p-i-n) پرداخته‌ایم.