چکیده: در میان نانومواد، نانولوله‌ها و بخصوص نانولوله‌هایSiC به دلیل دارا بودن خواص جالب الکتریکی، اپتیکی، حرارتی و مقاومت مکانیکی بالا، کاربردهای گسترده ای درابزارهای نانوالکترونیکی داشته وبه دلیل پایداری و انعطاف درگاف انرژی، سازگاری آشکاری با میکروالکترونیک سیلیکونی نیز دارند. دراین پروژه با استفاده از نظریه تابعی چگالی (DFT) درتقریب شیب تعمیم یافته GGA توسط کد محاسباتیSIESTA، خصوصیات ساختاری و الکترونی نانولوله‌های خالص دوجدارهSiC دسته صندلی (n,n) @ (4،4) (14-6=n) و (n,n) @ (5،5) (15-7=n) و زیگزاگ (n,0) @ (5،0) (17-10=n) و (n,0)@(6،0) (18-11=n) و نیز آلایش یافته با عنصر بور (B) را مورد بررسی قرارداده‌ایم. نتایج نتایج حاصل از مطالعه نانولوله‌های خالص نشان می دهد مطلوبترین فاصله درون‌جداری برای پایداری نانولوله‌های دسته صندلی 3/6 آنگستروم و برای نمونه‌های زیگزاگ 3/5 آنگستروم می باشد. بررسی ساختار نواری آنها نشان می‌دهد، تمام نانولوله‌های دسته‌صندلی خالص نیمرسانا باگاف غیرمستقیم بوده و با افزایش قطر، گاف نواری مانند نانولوله‌های تک جداره خالص افزایش می‌یابد. در نوع زیگزاگ، دسته (n,0) @(5،0) همگی رسانا بوده و دسته (n,0)@(6،0) نیمرسانا باگاف مستقیم می باشند و با افزایش قطر، گاف نیز زیاد می شود. همچنین گاف نانولوله‌های دوجداره از نانولوله‌های تک جداره آن کمتر و تغییرات گاف در نمونه های دسته صندلی بیشتر از زیگزاگ می‌باشد.تنتایج حاصل از آلایش نانولوله‌های دوجداره دسته‌صندلی و زیگزاگ نشان از تغییر فواصل‌درون جداری آنها نسبت به حالت خالص و نیز کاهش گاف انرژی نواری به صفر و رسانا شدن نانولوله‌های آلایش یافته دارد. نتایج این تحقیق میتواند درطراحی قطعات نانومتری مانند سنسورهای کوچک، پیل های سوختی، ترانزیستورها، نانوابزارها، رایانه‌های ملکولی و دیگر قطعات نانوالکترونیکی کاربرد مناسبی داشته باشد .