چکیده: نیمرسانای اکسید قلع با گاف نواری پهن، به دلیل داشتن خواص الکتریکی و اپتیکی مطلوب، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. آلایش آن با عناصر واسطۀ مغناطیسی، منجر به استفاده از آن‌ در صنایع اسپینترونیک می‌شود. در این پایان نامه خواص ساختاری، الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی اکسیدقلع خالص و آلاییده با کبالت، آهن و منگنز، با استفاده از کد محاسباتی WIEN2k، مورد بررسی قرار گرفته است، برای محاسبات، تقریب‌های GGA و LDA، برای ساختار خالص و از تقریب GGA، برای ساختارهای آلاییده، استفاده گردید. با بررسی چگالی حالت‌های جزئی اکسید قلع مشخص شد که حالت‌های پیوندی از هیبریداسیون حالت‌های p2-O و s5-Sn و همچنین از هیبریداسیون حالت‌های p2-O و p5-Sn ایجاد می‌گردند. با بررسی چگالی حالت‌های جزئی اکسید قلع آلاییده با عناصر واسطه مشخص شد که بیش‌ترین سهم در چگالی حالت‌ها در نزدیکی تراز فرمی در نوار ظرفیت و نوار رسانش، مربوط به اوربیتال‌های d3-TM می‌باشد. آلایش عناصر مغناطیسی نشان داد که به ازای غلظت 5/12% کبالت و آهن، در حالتی که دو یون مغناطیسی در مجاورت هم قرار گرفته‌اند، فاز پایدار مغناطیسی، فرومغناطیس و در حالت منگنز، پادفرومغناطیس می‌باشد. همچنین مشخص شد که به ازای غلظت 5/12% آهن و منگنز، در حالتی که دو یون مغناطیسی نسبت به هم دور هستند، فاز پایدار مغناطیسی پادفرومغناطیس می‌باشد. در آلایش 25% به ازای همۀ عناصر، فاز پایدار مغناطیسی فرومغناطیس می‌باشد. با بررسی نمودارهای طیف اپتیکی نمونه‌های Sn1-xTMxO2 مشخص شد که با افزایش غلظت آلایش، شدت اولین قله در نمودارهای جذب افزایش می‌یابد ولی در مورد قله‌های بعدی، کاهش می‌یابد، همچنین با افزایش غلظت آلایش تا 5/12%، پدیدۀ جابه‌جایی قرمز در نمودارهای جذب اپتیکی مربوط به ساختارهای Sn1-xTMxO2 مشاهده شد و به ازای غلظت‌های بالاتر، بسته به نوع عنصر TM، جابه‌جایی قرمز یا جابه‌جایی آبی، مشاهده گردید.